[工学]浙江大学---模电课件.ppt

集成电子技术基础教程 1.2.4 双极型三极管1.1.4 双极型三极管的伏安特性及其模型 一、双极型三极管的基本结构 二、三极管放大电路的电流分配 三、三极管电路的基本组态 四、三极管的伏安特性曲线 五、三极管的主要参数 1.2.5 场效应管1.1.5 场效应管的伏安特性及其模型 一、场效应晶体管简介 二、N沟道增强型绝缘栅型场效应管 三、N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 四、N沟道结型场效应管（JFET） 五、场效应管的主要参数 1.2.6 集成电路中的电子器件 IDSS是VGS=0时的饱和漏极电流 伏安特性与电流方程 基本结构与符号 JFET在VGS = 0 时，存在原始的导电沟道，属于耗尽型； JFET正常工作时，两个PN结必须反偏； JFET通过VGS 改变半导体内耗尽层厚度（沟道的截面积）来控制iD， 所以称为体内场效应器件 。 工作原理 伏安特性与电流方程 IDSS是VGS=0时的饱和漏极电流 直流参数 增强型管开启电压V GS(th)（VT） 耗尽型管夹断电压V GS(off) （VP） 耗尽型管在VGS = 0 时的饱和区漏极电流 IDSS 直流输入电阻R GS(DC) ： VDS = 0 时，栅源电压VGS与栅极电流IG之比 交流参数 低频跨导(互导)gm 转移特性曲线的斜率 交流输出电阻rds 极限参数 最大漏源电压V(BR)DS：漏极附近发生雪崩击穿时的VDS 最大栅源电压V(BR)GS：栅极与源极间PN结的反向击穿电压 最大耗散功率PDM 二极管、三极管、场效应管、电阻、电容 各种连线 集成电路 --- 同一块硅片制作特殊功能电路 集成电路 --- 器件之间绝缘 介质(如SiO2)隔离 --- 模拟集成电路 PN结隔离 --- 数字集成电路 小规模SSI 、中规模MSI 、大规模LSI和超大规模VLSI 模拟集成电路，数字集成电路 集成电路分类 * 集成电子技术基础教程 —— 电子器件基础 * 第一篇 电子器件基础 简称：晶体管、三极管 内部参与导电有自由电子、空穴两种极性载流子： 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT） 分类： 材料：硅三极管、锗三极管 掺杂：NPN型、PNP型 频率：高、低 功率：大、中、小 基本结构： N+ N P NPN型三极管 发射区 集电区 基区 发射极（e） 集电极（c） 基极（b） 发射结（Je） 集电结（Jc） PNP型三极管 P+ P N 发射区 集电区 基区 发射极（e） 集电极（c） 基极（b） 发射结（Je） 集电结（Jc） N+ N P VEE Re VCC RC e b c || + e b c 发射结正偏 集电结反偏 放大的工作条件 放大工作时 各电流的分配关系 b (P) c (N) e (N) IB IC IE 少子漂移 I CB0 基区复合 I BN 多子扩散 I CN 四种工作状态 饱和 正偏 正偏 放大 反偏 正偏 倒置 正偏 反偏 截止 反偏 反偏 状态 Jc Je 区分依据 共 基 极（CB），共基组态 共发射极（CE），共射组态 共集电极（CC），共集组态 一极连接输入端； 一极连接输出端； 第三极作为输入、输出的公共端； 三种基本组态 “公共的极”即为组态形式。 放大系统的组成 输入信号源 输出负载 供电电源 放大电路 共基组态 共基直流电流放大倍数 E区自由电子到达C极形成的电流 与E极电流之比 输入：E极 输出：C极 公共端：B极 一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。 共射组态 共射极直流电流放大倍数 到达集电极的电流 与基区复合电流的比值 输入：B极 输出：C极 公共端：E极 一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。 共基—共射电流放大倍数的关系 共射： 共基： 共集组态 输入：B极 输出：E极 公共端：C极 一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。 通过晶体管特性图示仪直接显示三极管的伏安特性曲线 VCE = 0V 时 VCE 增长时 共射极输入特性 VCE 1V 后 截止区 饱和区 放大区 输出特性的三个区域 共射极输出特性 截止区 三极管处于截止状态的条件： 外加电压使发射结和集电结均处于反向偏置， 即：VBE≤0, VBC＜0, IB≈0, IC≈0； 三极管失去了放大能力。 三极管截止状态的判断依据 三极管截止状态的电路模型 饱和区 三极管处于饱和状态的条件