等离子体辅助化学气相沉积技术课程实例.pptxVIP

等离子体辅助化学气相沉积技术 一、等离子体概述 1.等离子体的定义： 等离子体是物质存在的第四种状态，是由等量的自由电子和带电离子组成的非束缚状态的宏观体系。 2.等离子体的产生： 电击穿、射频放电、微波激发、冲击波、高能粒子流、高温加热等 3.等离子体的应用： （1）低温等离子体：发光显示、刻蚀、镀膜 （2）高温等离子体：磁控核聚变发电 二、PECVD技术 （一）PECVD概述 1.PECVD的定义： 在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电产生的等离子体对沉积过程施加影响的技术称为等离子体辅助化学气相沉积技术。 2.PECVD的优点： （1）沉积速率高 （2）沉积温度低，从而不使基板发生相变或变形 （3）容易获得比较均匀的组分，成膜质量高 （4）通过改变气流比可以使薄膜组分连续变化 二、PECVD技术 （二）PECVD过程的动力学 在PECVD过程中发生的微观过程为： （1）气体分子与等离子体中的电子发生碰撞，产生出活性基团和离子； （2）活性基团可以直接扩散到衬底； （3）活性基团也可以与其他气体分子或活性基团发生相互作用，进而形成沉积所需的化学基团； （4）沉积所需的化学基团扩散到衬底表面； （5）气体分子也可能没有经过上述活化过程而直接扩散到衬底附近； （6）气体分子被直接排出系统之外；