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光致变色液晶高分子信息存储材料研究进展 张会旗 李晨曦 黄文强 何炳林 (南开大学吸附分离功能高分子材料国家重点实验室，高分子化学研究所，天津,300071) 提要光致变色液晶高分子以其独特的优点在信息存储领域显示了光明的应用前景、成为冃 前国际上研究的热点。本文系统阐述了光致变色液晶高分子的研究概况?光信息存储机理以及信息 存储应用方面的研究进展。 矣键词光致变色液品高分子，可逆光信息存储 、八 、- 刖吕 光致变色液晶高分子是指同时具有光致变 色性能与液晶性能的高分子材料。其最早报建 见于 1983 年,Talrozc 及 Finkeknann2 等人 将光致变色偶氮染料掺入液晶高分子内，得至I 了掺杂型光致变色液晶高分子。同年,Finkel： m an n等人与R iiig sdo rf等人将介晶单侏 与偶氮染料单体共聚，得到了侧链上同时含雀 偶氮基团与介晶基团的光致变色液晶高分子。 1985年,Coles等人$首先对光致变色液晶高 分子的信息存储性能进行了研究，此后光致变 色液晶高分子信息存储材料的研究便日益活跃 起来，并很快成为信息存储领域研究的热点。本 文重点介绍了光致变色液晶高分子信息存储材 料的研究进展。 1光致变色液晶高分子信息存储 材料的信息存储机理及其优点 1985年Coles等人提出了光致变色液晶 高分子信息存储的热记录方法(Heat2-node writing) o即利用强激光照射预先取向的光致 变色液晶高分子样品，激光照射到的局部区域 吸热温度迅速升高转变成各向同性的熔体，光 源移走后各向同性的熔体很快冷却成蜂窝状与 焦锥状的光散射中心，信息输入完成。不过，利 1987年Eich等人提出了光致变色液 晶高分子信息存储的光记录方法(Photon2 mode w riting),其基本原理可以用图1说明。 0,.OD Em ? ■ . A ；: :J邑 j % ? ? 汽 A A向列相 B各向同性相 图1光致变色液晶高分子信息存储原理示意图 液品髙分丁?的介品基团 I——I 反式偶氮基团 tl 顺式偶氮基团 图1A是经过取向的含偶氮基团的光致变 张会旗1969年生。1991年毕 业于南开大学化学系高分子专 业，获理学学士学位。随后在滋 校化学系髙分子专业攻读硕士 学位,因成绩优秀于1993年褂 推荐到南开大学高分子化学砂 究所攻读博士学位，在何炳林教 授指导下从事光致变色液晶高分子的合成与研究工 作。1996年毕业，获理学博士学位。现为天津大学应庄 化学系讲师，主要从事新型光致变色液晶高分子的台 成与研究工作。 色液晶高分子的向列相示意图。在强偏振激光 照射下，受照射的局部区域吸热升温至液晶框 温度，同吋偶氮基团发生顺反异构化而由棒狀 的反式结构转变成弯曲的顺式结构，从而对具 周围的液晶相产生扰动,使其由各向异性转变 为各向同性（见图1B ）,光源移走后受照射的匡 域迅速冷至玻璃化温度以下，所记录的信息便 冻结起来,信息输入完成。 与热记录方法相比,光记录方法具有可实 现高分辨率与多重记录的优点*，所以光记录 方法很快取代了热记录方法而成为光致变色液 晶高分子记录信息的主要方法。 1988年Ikeda等人°又提岀了光致变色液 晶高分子信息存储的光诱导等温相转变方法 （Pho to ch em ically induced isotheim al phase transit bn of th e m a t r ix PLC s） ° 该方法与诜 记录方法的原理基本一致，也是通过激光照射 已经取向的光致变色液晶高分子样品，使光藝 变色基团发生光异构化而诱导其附近区域的杠 转变来存储信息,不同之处在于此方法是先要 将已经取向的光致变色液品高分子样品加热至I 液晶相温度，然后用强度较弱的非偏振激光辺 行信息的写入。 目前,光记录方法与光诱导等温相转变方 法均是光致变色液晶高分子进行信息存储的常 用方法。由光致变色液晶高分子材料的信息存 储机 理可知，它作为可逆光信息存储材料具有有#1 光致变色材料及普通高分子光致变色材料无可 比拟的优越性Xg”。首先，光致变色液晶高 分子具有高分子材料的优异的可加工性能。貝 次，它是通过光致变色基团的光异构化对其匿 围液晶相有序排列的扰动来实现信息存储的 因此体系折射率变化要比普通光致变色高分子 材料中仅靠光致变色基团光异构化引起的体系 折射率变化大一个数量级，从而可以实现信息 存储的高分辨率及高信噪比。第三，它可以通幻 用远离其吸收带波长的光读取体系折射率的变 化来实现信息的读岀，因而可以完全消除破坏 性读出问题。第四，其信息存储过程是在其玻璃 化温度（八）以上进行的，存储完毕后降温至T 以下，这样，光记录时光致变色基团通过光异松 化引起的体系折射率变化就会被冻结起来，艮