集成电路失效分析中缺陷快速精确定位技术及实验研究-电子科学与技术专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘 要 在集成电路失效分析中，对于功能性失效集成电路，仅凭一种缺陷定位技术 很难快速精确地定位到其中的硬缺陷。由于软缺陷会导致集成电路的功能性测试 结果随温度等测试条件的变化而改变，这使得软缺陷的快速精确定位更加困难。 本文详细阐述了集成电路中出现的主要典型缺陷及其对电路的影响，系统介 绍了业界上的主要缺陷定位技术。在对四种主要缺陷定位技术，即光发射显微镜 技术(Photon Emission Microscopy, PEM)、激光热效应激励电阻变化技术(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH) 、 电路原理图及版图分析技术 (Schematic/layout study)、以及微探针测试技术(Microprobing)，进行了深入理论 研究的基础上，集中它们的优势提出一种硬缺陷定位的优化流程法，该方法能够 在较短的时间内逐步缩小失效电路的分析范围并最终锁定缺陷点，达到快速精确 地定位各种典型硬缺陷的目的。实验结果表明，运用单一缺陷定位技术进行硬缺 陷定位需要两周甚至更长，成功率只有 60%左右，而运用优化流程法使得硬缺陷 定位平均时间缩短到了五天，成功率可达 95%。针对优化流程法不易定位的软缺 陷，通过动态同步法实现集成电路测试系统与 OBIRCH 的激光扫描模块的动态 同步，通过将模拟混合信号集成电路的测试结果做数字归一化处理，实现了运用 现有的 OBIRCH 缺陷定位技术来快速精确地定位数字电路和模拟混合信号电路 中的软缺陷。改变了软缺陷几乎不能定位的现状，并且平均分析时间只需三天。 本论文的主要创新点包括： 1、 集中 PEM、OBIRCH、Schematic/layout study、以及 Microprobing 这四种 技术的优势，提出硬缺陷定位的优化流程法，可在较短的时间内逐步缩 小失效电路的分析范围并最终锁定缺陷点，实现硬缺陷的快速精确定位。 2、 对于数字电路中的软缺陷，提出动态同步法来实现集成电路测试系统和 OBIRCH 的激光扫描系统的动态同步，从而实现运用现有的 OBIRCH 技 术来快速精确定位软缺陷。 3、 针对模拟混合信号电路中的软缺陷，将各种各样的模拟混合信号参数的 异常变化归一化地转化为数字化的测试结果标志，使其能够被 OBIRCH 所识别并满足动态同步的要求，从而实现运用 OBIRCH 技术来快速精确 定位模拟混合信号电路中的软缺陷。 关键词：失效分析，缺陷定位，光发射显微镜技术，激光热效应激励电阻变化 技术，软缺陷定位技术 ABSTRACT In IC failure analysis, it is difficult to localize the hard defects quickly and precisely only by one defect localization technique on the complicated functional failed ICs stimulated by the hard defects. The functional test result on an IC is depended on temperature or other test conditions due to a soft defect, so it is more difficult to localize the soft defect quickly and precisely. In this paper, the typical defects and their influences on ICs are stated. The main defect localization techniques are introduced. The four important defect localization techniques, Photon Emission Microscopy (PEM), Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH), Schematic/layout study technique, Microprobing technique, are studied, and then an optimal process method is proposed by combination their advantages together for quickly and precisely localizing some typical hard defects. The failed circuit