透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析-光子学报.PDF

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3 1 6 . 31 . 6 V ol N o 2002 6 A CT A P HOT ON ICA SI NICA J une 2002 GaA s XPS 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯 洵 ( , 7100 68) 介绍了G aA s 光电阴极在高温烘烤后不同深度上G a 原子 A s 原子氧化的XP S 分析 结果, 并对G aA s 中的Ga 原子比A s 原子更容易氧化以及G aA s 光电阴极在经过高温烘烤后, 其激活所能达到的阴极灵敏度偏低的现象进行了分析. GaA s 光电阴极 真空, 氧化 XP S 0 1 G aA s G aA s , , A l- 133. 3224 ( 10- 10 10- 11) Pa . G aA s G aA s , , . G aA s GaA s ( 100) . , , 400 . L PM O CV D , ( G aA s ) . GaA s , G aA s 1 , , , 10- 7 Pa, G aA s . 400 , . G aA s , G aA s 48h , 666. 6 1210- 6P a. . G aA s LEED A ES GaA s ( 100) M O S L ED , G aA s , G aA s , , G aA s , , U PS 2 3 , LEED A ES U P S , XP SA ESU PS L EED . G aA s G aA s ( 100) , G aA s( 110) ( 111) ( -1-1-1) , . x GaA s ( 100) , G aA s , , X P S , , X PS , GaA s ( 110) G aA s ( 100) G aA s . X PS 5 300, . G aA s ( 100) , 133. 3224 , GaA s 10- 8P a, MaK, 0. 7eV , .

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