课件：介质薄膜的性质半导体薄膜的性质.pptxVIP

9.3 介质薄膜的电学性质 9.4 半导体薄膜的性质 9.5 薄膜的其他性质 2015.05.26;9-3 介质薄膜的电学性质;一、介质薄膜的绝缘性质; ; ;介质薄膜的击穿 当施加到薄膜上的电场强度达到某一数值，它便立即失去绝缘性能，这种现象叫做击穿。 从击穿对薄膜造成的影响分类 1）如果击穿电场持续加在薄膜上，将有较大电流通过将其烧毁，这种击穿成为硬击穿。 2）有些介质膜在击穿时并不烧毁而是长期稳定的工作维持低阻态，这种膜的击穿成为软击穿。 从击穿机理分类 1) 由于外加电场引起的击穿称为本征击穿 2) 因薄膜缺陷引起的击穿称为非本征击穿 ;介质膜的本征击穿 本征击穿由电击穿和热击穿共同作用完成。 电击穿是介质膜中载流子在临界电场作用下产生电子倍增而形成的击穿。 电击穿时电子雪崩式增加，产生大??焦耳热，介质膜温度迅速上升，介质膜电导随温度上升指数型增加，进一步导致电流增大，最后造成局部地区产生热分解、挥发或熔化，促成热击穿。 ;常见介质膜的击穿场强;二、介质薄膜的介电性质 作为薄膜电容器使用时，其电学性质主要研究的是介电常数和介质损耗。 介质薄膜的介电常数 根据极化性质的不同，将介质薄膜分为极化型介质薄膜和非极化型介质薄膜。 由于极化强弱与介质薄膜中总电荷数以及电荷间相互作用强弱有关，所以介质薄膜介电常数与原子序数有关。 ;介电薄膜的温度系数也是其介电性能的重要参数。 ① 在测量温度系数时必须在介质膜上制备欧姆接触电极，构成一个片状电容器。在测量电容器温度系数后再推求出介电常数的温度系数 ② ③ ③式中αd为薄膜厚度热膨胀系数，可直接测出。;介质薄膜的损耗 对薄膜施加交变电场后，由于电导和极化方面的原因，必然产生能量损耗，用损耗角δ的正切值tanδ（%）表示;介质薄膜的损耗由三部分构成 电导损耗。在低频下比较显著。 弛豫型损耗。与交变电场频率有密切关系，高频显著。 非弛豫型损耗。由膜内不均匀性造成，与频率几乎无关。;三、介质薄膜的压电性质 带电粒子在应力作用下发生相对位移而极化，在晶体两端产生符号相反的束缚电荷，电荷密度与应力成线性关系。这种由于应力作用使表面产生极化电荷的现象称为正压电效应。 当晶体受到电场作用时在它的某个方向发生应变，且应变与场强成线性关系，称为负压电效应。 这两种效应综合在一起称为压电效应。目前应用最多的压电薄膜有ZnO和AlN ;压电薄膜的结构 为了产生极化电荷，要求： （1）离子晶体 （2）晶体结构没有对称中心 （3）所选材料各微晶基本上有相同取向 （4）微晶原子排列上要求立方晶结构闪锌矿或者六方晶结构纤锌矿。;压电性能参数 机电耦合系数κ 压电系数d 单位应力作用下产生的极化强度或者单位电场作用下产生的应变 机械品质因数Qm 描述压电材料在谐振时机械能损耗的数量 电学品质因数Qe 描述损失的交变电流能量;四、介质薄膜的热释电性质 具有自发极化的晶体被加热时表面上出现电荷的现场称为热释电效应。 当给热释电晶体施加电场时，会引起晶体温度的变化，这称为电卡效应。 热释电晶体要求具有自发极化型，且结构上没有对称中心。;五、介质薄膜的铁电效应 铁电体：某些晶体在一定温度范围内具有自发极化，且这种自发极化方向可以随着电场方向而变化。 铁电体的特征： ① 具有电滞回线（极化强度P和外电场E间的特定关系） ②存在一个临界温度，即铁电居里温度 ③其介电性、热学、光学、弹性性质在在临界温度附近出现反常现象。 目前研究较多的铁电薄膜主要是BaTiO3和PbTiO3 ;9—4 半导体薄膜的性质;一、单晶半导体薄膜;; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;二、多晶半导体薄膜;三、非晶半导体薄膜; ; ;四、氧化物半导体薄膜;氧化物半导体薄膜的应用实例;9.5 其他新型薄膜及性质 超导薄膜 超导体：在一定的临界温度Tc下，电阻值突然变为0，表现出完全导电体，完全抗磁体，量子凝缩效应以及约瑟夫逊效应。 超导薄膜可以用真空蒸发或者阴极溅射方法制造