课件：太阳能电池电性能参数与产线异常关系.pptVIP

PE时放反 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 0.0042319 1.4293474 0.0045513 0.6588125 1.2551878 3.12E-06 12.275726 0.0084475 1.5773007 0.0081247 1.4326175 0.9109182 4.987E-06 12.274223 0.0153496 2.0298398 0.0109233 1.2210956 0.7720504 9.885E-06 12.275726 0.0154133 2.2706323 0.0101854 1.0980207 0.8868621 1.275E-05 12.275726 黑芯片 NCell Uoc Isc Rs Rsh FF Irev2 0.1665998 0.6188464 5.1095577 0.0028035 212.84888 78.283199 0.0524876 0.1667489 0.6180908 5.1124622 0.0028509 125.68822 78.404479 0.0874989 0.1669817 0.6184828 5.1103787 0.0028921 135.17862 78.496176 0.0868432 0.1666407 0.6187854 5.1099495 0.0029233 112.58571 78.304148 0.0928269 0.1669533 0.6186372 5.1164951 0.0029321 60.898819 78.369436 0.2117919 0.1689036 0.6193697 5.1617348 0.0029391 107.29364 78.497119 0.1037194 0.1684808 0.6191804 5.1461534 0.0029691 189.63881 78.561709 0.0612759 0.1677464 0.619471 5.1340439 0.0030595 100.42178 78.366935 0.1193255 0.1663682 0.6184135 5.1207251 0.003076 68.522964 78.058491 0.1731142 转换效率的影响因素 串阻Rs组成 测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成： 1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体） 2.正面电极金属栅线体电阻 3.正面扩散层电阻 4.背面电极金属层电阻 5.正背面金属半导体接触电阻 6.外部因素影响，如探针和片子的接触等 烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。 可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻； 5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值； 6属于外部测试因素，也会导致Rs变化 Rs影响因素 探针脏 探针寿命到期 是 是 是 是 并阻Rsh组成 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定 边缘漏电主要由以下几个方面决定： ①边缘刻蚀不彻底 ②硅片边缘污染 ③边缘过刻 体内漏电主要几个方面决定 ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 ②由于铝粉的沾污导致的烧穿 严重 ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 ④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等 Rsh影响因素 并联电阻 低 原材料因素 工艺因素 工艺过程 污染 刻蚀工艺 PE工艺 扩散烧结工艺 设备环境因素 硅片中金属杂质 含量过高 缺陷密度过大 工艺时间过短气 体比例不合适边缘 PN结未完全去除 边缘刻蚀过宽 PE膜的致密性较 差导致烧结易烧穿 烧结温度太高 方阻太高 烧结和方阻不匹配 扩散炉炉管污染 网印机工作台磨损 DI水污染 人为因素 操作过程中使用 工具的污染 操作中污染 擦拭片等 检查并测试刻蚀机 刻蚀效果 椭偏移到厂后定量 测试膜厚折射率 烧结炉工艺稳定性 外围设备稳定性监控 方阻均匀性 方阻范围控制 卫生环境污染 Uoc影响因素 开路电压 低 材料本体 工艺因素 硅片电阻率高 硅片质量较差 少子寿命低 硅片厚度厚 制绒表面 损伤层未完全 去除，减薄量小 扩散PN结 质量较差 扩散炉管 洁净度差 PE钝化效果 较差 扩散钝化效果 较差 网印背电场 效果较差