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扩散电容CD扩散电容示意图PN结的扩散电容;2.1 半导体的基本知识; 2.1.1 半导体材料; 2.1.2 半导体的共价键结构; 2.1.2 半导体的共价键结构; 2.1.3 本征半导体;空穴的移动; 2.1.4 杂质半导体; 1. N型半导体; 2. P型半导体; 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下:; 本征半导体、杂质半导体;2.2 PN结的形成及特性; 2.2.1 PN结的形成; 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; 2.2.2 PN结的单向导电性;PN结的伏安特性; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; 2.2.2 PN结的单向导电性; 2.2.3 PN结的反向击穿; 2.2.4 PN结的电容效应; 2.2.4 PN结的电容效应;2.3 半导体二极管; 2.3.1 半导体二极管的结构;(3) 平面型二极管; 2.3.2 二极管的伏安特性; 2.3.3 二极管的参数; 2.3.3 二极管的参数; (1) 势垒电容CB;势垒电容CB是用来描述二极管势垒区的空间电荷随电压变化而产生的电容效应的。PN结的空间电荷随外加电压的变化而变化，当外加正向电压升高时，N区的电子和P区空穴进入耗尽区，相当于电子和空穴分别向CB“充电”，当外加电压降低时，又有电子和空穴离开耗尽区，好像电子和空穴从CB放电，CB是非线性电容，电路上CB与结电阻并联，在PN结反偏时其作用不能忽视，特别是在高频时，对电路的影响更大。 ;(2) 扩散电容CD;PN结的扩散电容 二极管正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小，这样，就相应地要有载流子的“充入”和“放出”。因此，积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化就可PN结的扩散电容CD描述。扩散电容反映了在外加电压作用下载流子在扩??过程中积累的情况。 CD是非线性电容，PN结正偏时，CD较大，反偏时载流子数目很少，，因此反向时扩散电容数值很小。一般可以忽略。 ;半导体二极管图片;;{end};2.4 二极管基本电路及其分析方法; 2.4.1 二极管V- I 特性的建模; 4. 小信号模型; 2.4.2 应用举例;例2.4.2 提示; 2.4.2 应用举例;表1 ; 2.4.2 应用举例;2.5 特殊体二极管;2.5.1 稳压二极管;(1) 稳定电压VZ;2.5.1 稳压二极管