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第４０卷 第３期 发 光 学 报 Ｖｏｌ４０ Ｎｏ３
２０１９年３月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｍａｒ. ꎬ２０１９
文章编号:１０００￣７０３２(２０１９)０３￣０３３４￣０６
衬底温度对共蒸发法制备 ＣｕＺｎＳｎＳｅ太阳电池的影响
２ ４
１ꎬ２ ∗ １ １ １
孙 顶 ꎬ李玉丽 ꎬ王凌群 ꎬ张玉红 ꎬ
１ １ １ ２
刘 航 ꎬ郭秀娟 ꎬ迟耀丹 ꎬ张 力
(１. 吉林建筑大学 电气与计算机学院ꎬ吉林 长春 １３０１１８ꎻ ２. 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所ꎬ天津 ３０００７１)
摘要:采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Ｃｕ ＺｎＳｎＳｅ (简称ＣＺＴＳｅ)薄膜ꎬ分析了衬底温度对 ＣＺＴＳｅ材料
２ ４
性质及电池性能的影响ꎮ 研究表明:当衬底温度较低时(３８０ ℃)ꎬＣＺＴＳｅ薄膜中含有ＳｎＳｅ 使电池失效ꎻ随着ｘ
衬底温度的升高ꎬＣＺＴＳｅ薄膜的结晶质量明显提升ꎬ电池开路电压增加ꎮ 但当衬底温度达到４６０ ℃时ꎬ电池的
转换效率反而下降ꎻ结合ＣＺＴＳｅ 的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因ꎮ 最终在衬底温度
２
４２０ ℃的条件下制备出效率为３.１２％(有效面积０.３４ ｃｍ )的ＣＺＴＳｅ太阳电池ꎮ
关 键 词:太阳电池ꎻ铜锌锡硒ꎻ共蒸发ꎻ温度
中图分类号:Ｏ４８２.３１ꎻＴＢ３４ 文献标识码:Ａ ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０３３４
Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ Ｃｕ ＺｎＳｎＳｅ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
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Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｃｏ￣ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ
１ꎬ２∗ １ １ １
ＳＵＮ Ｄｉｎｇ ꎬＬＩ Ｙｕ￣ｌｉ ꎬＷＡＮＧ Ｌｉｎｇ￣ｑｕｎ ꎬＺＨＡＮＧ Ｙｕ￣ｈｏｎｇ ꎬ
１ １ １ ２
ＬＩＵ Ｈａｎｇ ꎬＧＵＯ Ｘｉｕ￣ｊｕａｎ ꎬＣＨＩ Ｙａｏ￣ｄａｎ ꎬＺＨＡＮＧ Ｌｉ
(１. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＪｉｌｉｎ Ｊｉａｎｚｈｕ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ １３０１１８ꎬＣｈｉｎａꎻ
２. Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ Ｅｌｅｃｔ
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