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主要内容链接;2.3 半导体二极管;(2) 面接触型(面结型)二极管;(3) 集成电路中的平面型二极管;(4) 二极管的代表符号和实物照片;2. 二极管的V-I特性;3. 二极管的参数;(4) 极间电容;外加正向电压升高;外加正向电压降低;(b) 扩散电容CD;外加正向电压升高,N区空穴积累将增加, P区电子的积累也同样增加,相当于电容的充电。反之,外加正向电压降低时,相当于电容的放电。;(c) PN结和二极管的高频等效电路;2.4 二极管基本电路及其分析方法;1. 二极管V-I特性的各种模型;(2) 恒压降模型;(3) 小信号模型;(3) 小信号模型;(3) 小信号模型;(3) 小信号模型;符号大小写含义的约定;分析含有二极管的电路,首先要判断二极管是导通还是截止。
一般方法是:先假设二极管截止(断开),分析出二极管阳极和阴极的电压差,然后根据具体的模型判断。
以硅管为例,理想模型:电压差和0V比较;恒压降模型:电???差和0.7V比较。;(1) 二极管电路的静态工作情况分析; ;(2) 限幅电路;;(3) 开关电路;(4) 低电压稳压电路;求 解 过 程;(5) 整流电路;(5) 整流电路;(5) 整流电路;2.5 特殊二极管;(1) 工作原理;;(2) 性能参数;(e) 动态电阻(或交流电阻)rZ
rZ=?VZ/ ?IZ
(b) 稳定电压的温度系数k (或?)
在稳压管中流过的电流为稳定电流IZ时,环境温度每变化1?C,稳定电压VZ的相对变化量。 ;(3) 应用;电路的稳压原理;判断稳压管正常工作条件;作 业;作 业
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