南通大学模电课件第五章.pptVIP

第5章 场效应管放大电路 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流的半导体器件。;5.1.1 N沟道增强型（绝缘栅）MOSFET 1、结构 ;符号解释： 虚线表示，只有在加上柵极电压后，才有导电沟道（增强型）； 箭头方向表示从P指向N，由此可判断沟道类型。 g,d,s分别对应于三极管的b极，c极，e极。;2、工作原理 1）VGS对工作的影响（设VDS=0）;VT 称为开启电压;2. 工作原理;当vGS一定（vGS VT ）时，;预夹断后，vDS?;2. 工作原理;;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.2 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;假设工作在饱和区;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;5.3 结型场效应管;5.3.1 JFET的结构和工作原理;2. 工作原理;2. 工作原理;2. 工作原理;综上分析可知;5.3.2 JFET的特性曲线及参数;与MOSFET类似;5.3.3 FET放大电路的小信号模型分析法;（2）高频模型;2. 动态指标分析;2. 动态指标分析;5.5 各种场效应管的比较 从转移特性看N/P沟道、耗尽/增强型FET管的开启电压/夹断电压及栅极偏置。 ;使用注意事项： 1）衬底的连接：P沟道——高电位；N沟道——低电位；常将源极和衬底相连。 2）对FET，一般D、S可互换；若衬底与源极已连接在一起，则不能互换。 3）JFET的栅压不能接反，可开路保存；而绝缘栅型需各极间短路保存。 4）MOS管在焊接时须注意外电场的影响，（烙铁断电后再焊接）。;小结： FET使用中应记住：栅压控制、基本无栅流，以及各种类型的VGS和VDS的极性和电压范围。 VDS的极性取决于导通沟道的类型：N沟道——VDS ? 0；P沟道——VDS ? 0。 VGS的极性取决于工作方式和导电沟导类型： J型：N沟道——VGS ? 0；P型——VGS ?0 MOS管：耗尽型——VGS ? 0或VGS ?0； 增强型：N沟道——VGS?VT；P沟道VGS ? VT 增强型的MOS管VGS与VDS同极性；耗尽型的MOS管的VGS与VDS有同极性和反极性两种。;例1：已知某场效应管的输出特性如图所示。由图中给出的数据来判断 1）它是哪种类型的场效应管？ 2）其夹断电压VP或开启电压VT是多少？ 3）若是耗尽型的话，它的IDSS是多少？ 解：1） ∵由于VGS可正可负， ∴是耗尽型的MOSFET 又∵ VGS从负往正变化时， iD相应地由大变小， ∴是P沟道 2）VP=1.5V 3）对应于VGS=0的iD，即IDSS ? –12mA