材料表征手段之一：正电子湮没的应用技术.pptVIP

材料中的杂质和缺陷能级 主要影响（光学、电学、磁学） 原因：周期性势场受到破坏、在禁带中进入新的能级 杂质分类： 缺陷分类：点缺陷、线缺陷、面缺陷 点缺陷 弗仑克尔缺陷：一定温度下，格点原子在平衡位置附近振动，其中某些原子能够获得较大的热运动能量，克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置，形成间隙原子，原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 肖特基缺陷：由于原子挤入间隙位置需要较大的能量，所以常常是表面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上，而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充，从而在晶体内部形成空位，而表面则产生新原子层，结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。 肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷统称点缺陷。 虽然这两种点缺陷同时存在，但由于在Si、Ge中形成间隙原子一般需要较大的能量，所以肖特基缺陷存在的可能性远比弗仑克尔缺陷大，因此Si、Ge中主要的点缺陷是空位 退火环境对ZnO薄膜中缺陷的影响 SLnoael SLair950 SLoxy850 ≈SLoxy1000， SL = fbSb + fdSd , fd+fb= 1, SdSb fdnoael fdair950 fdoxy850≈fdoxy1000，fdnoael、fdair950、fdoxy850、fdoxy1000分别表示在没有退火样品、空气中950oC退火、氧气中850oC退火、氧气中1000oC退火后ZnO薄膜中缺陷处正电子的湮没份额。 ZnO薄膜在在空气和氧气中退火后的光致发光谱 量子点 * Si寿命谱 原理 装置框图 多普勒展宽的表征：线性参数 正电子慢化过程示意图 慢化体 示意图 慢束装置 屏蔽室 线圈 靶室 插板阀 符合多普勒展宽测量 ● 相对能量分辨提高了近40% ● 峰底比提高了2-3个数量级 峰底比提高到~105 符合多普勒谱三维图示 不同多普勒测量谱的的比较 ZnO 晶体结构示意图 系统实物图 高纯锗 高纯锗 样品 高压源 放大器 采集卡 采集界面 二：正电子湮没技术在材料中的应用 材料表征手段之一：正电子湮没技术 彭 成 晓 占据位置：间隙式、替代式 导电性质：施主、受主 (a) 弗仑克尔缺陷 (b) 肖特基缺陷 图1.11 点缺陷 结构、光学、 电学性能 缺陷 电子顺磁共振 卢瑟福背散射 透射电子显微镜 深能级顺发谱 霍尔效应 光致发光谱 正电子湮没谱 内 容 提 要： 一: 正电子湮没谱技术 二: 研究结果 寿命谱技术 慢正电子湮没技术 多普勒展宽技术 一:正电子湮没谱学 晶体 纳米材料 金属 聚合物材料 e+ + e- nγ n=1, 2, 3… 正电子湮没技术 ● 正电子寿命谱： 实空间电子密度分布信息 ● 角关联和多普勒展宽谱： 电子动量分布信息 寿命谱技术 NIM插件 探头 延迟箱 在线数据获取计算机 寿命谱装置