单片机应用系统扩展设计.ppt

6.1.2、扩展使用的三总线 总线：连接系统中各扩展部件的一组公用信号线 地址总线：传出单片机送出的地址信号，进行存储单元和I/O口的选择。 地址总线是单向的，从单片机发出。 8051单片机16位地址总线 数据总线：单片机和存储器单元及单片机和I/O端口之间传输数据。数据总线：双向 控制总线：一组控制信号线的总称。有单片机发出的，也有从其他部件发向单片机的。 对于一条控制线，其传送方向是单向的。 单片机扩展的实现（总线结构） MCS-51单片机寻址范围位64K需要16根地址线 扩展时常用的控制信号 1）ALE：地址锁存选通信号（高电平有效） 6.2.2 随机读写存储器RAM的扩展 2. 地址锁存器的原理 3.地址锁存器芯片 4. 62128与MCS51的连接 6.2.3 只读存储器ROM的扩展 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持 信息不丢失。 1. 掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2. PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元 熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3. EPROM：可光擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅， 阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再 次改写。 4. EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、 ROM的优点。但写入时间较长。 2. 27128与MCS51的连接 3. MCS51同时扩展ROM和RAM 6.2.4数据存储器扩展 （1）随机存储器的概述： 随机存储器（Random Access Memory）可以进行读写两种操作。 随机存储器（RAM），分为静态（SRAM） 和动态（DRAM）两种。 静态RAM（SRAM）：加电即可保存信息； 动态RAM（DRAM）：加电，不断进行周期性刷新（再生），才可保存信息； 典型随机存储器芯片6116 （2）数据存储器一般的扩展方法 a.线选法 微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。 b.译码片选法 微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。 a. 线选法 b．译码片选法 3-8 地址译码器：74LS138 Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3 三个逻辑存储空间： 片内外统一编址的64K字节程序存储器空间； 256字节片内数据存储器空间； 64K字节片外数据存储器空间。 MCS-51单片机存储器的使用 存储空间的区分 内部RAM和内部ROM的区分： 内部RAM访问用MOV指令；内部ROM访问用MOVC指令。 外部RAM和外部ROM的区分： 外部RAM访问用MOVX；外部ROM访问用MOVC指令。 内部RAM和外部RAM的前256个单元重叠 内部RAM访问用MOV指令；外部RAM访问用MOVX指令。 说明下图各存储器地址范围？ 6.3 I/O接口扩展电路设计 （1）接口线 PA0～PA7、PB0～PB7、PC0～PC7共24条端线。3个口皆为锁存/缓冲寄存器，A口、B口有锁存功能，C口无锁存功能。A、B、C 3口的工作方式由程序设置。 （3）控制线 控制线控制8255的读RD：、写WR、复位RESET及片选CS等。 6.3.3 方式选择及方式控制字 （1）8255工作方式 ：方式0、方式1，方式2 （2）.方式选择 6.3.4 8255扩展电路及地址设置 （1）8255地址口确定 （2） 8255初始化 例如，欲设置8255的A、B、C口全为输出状态(或输出方 式)，控制字为80H。 程序(结合上图)如下： MOV DPTR, #0003H ；8255控制口地址 DPTR MOV A, #80H ；控制字送A MOVX @DPTR, A ；控制字写入控制寄存器 6.3.5 8155可编程I/O接口扩展设计 1、I/O接口线地址数据线控制线 2、8155功能及操作 （1）8155具有3种功能： 扩展RAM、I/O接口使用、定时器使用 （2）状态寄存器格式 可编程定时/计数器