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6.1.2、扩展使用的三总线 总线:连接系统中各扩展部件的一组公用信号线 地址总线:传出单片机送出的地址信号,进行存储单元和I/O口的选择。 地址总线是单向的,从单片机发出。 8051单片机16位地址总线 数据总线:单片机和存储器单元及单片机和I/O端口之间传输数据。数据总线:双向 控制总线:一组控制信号线的总称。有单片机发出的,也有从其他部件发向单片机的。 对于一条控制线,其传送方向是单向的。 单片机扩展的实现(总线结构) MCS-51单片机寻址范围位64K需要16根地址线 扩展时常用的控制信号 1)ALE:地址锁存选通信号(高电平有效) 6.2.2 随机读写存储器RAM的扩展 2. 地址锁存器的原理 3.地址锁存器芯片 4. 62128与MCS51的连接 6.2.3 只读存储器ROM的扩展 工作时,ROM中的信息只能读出,要用特殊方式写入(固化信息),失电后可保持 信息不丢失。 1. 掩膜ROM:不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息,用户只可读。 2. PROM:可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连,当加入写脉冲,某些存储单元 熔丝熔断,信息永久写入,不可再次改写。 3. EPROM:可光擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后,某些存储单元的PN结表面形成浮动栅, 阻挡通路,实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅,原有信息全部擦除,便可再 次改写。 4. EEPROM:可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除,可在线擦除信息,又能失电保存信息,具备RAM、 ROM的优点。但写入时间较长。 2. 27128与MCS51的连接 3. MCS51同时扩展ROM和RAM 6.2.4数据存储器扩展 (1)随机存储器的概述: 随机存储器(Random Access Memory)可以进行读写两种操作。 随机存储器(RAM),分为静态(SRAM) 和动态(DRAM)两种。 静态RAM(SRAM):加电即可保存信息; 动态RAM(DRAM):加电,不断进行周期性刷新(再生),才可保存信息; 典型随机存储器芯片6116 (2)数据存储器一般的扩展方法 a.线选法 微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。 b.译码片选法 微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。 a. 线选法 b.译码片选法 3-8 地址译码器:74LS138 Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3 三个逻辑存储空间: 片内外统一编址的64K字节程序存储器空间; 256字节片内数据存储器空间; 64K字节片外数据存储器空间。 MCS-51单片机存储器的使用 存储空间的区分 内部RAM和内部ROM的区分: 内部RAM访问用MOV指令;内部ROM访问用MOVC指令。 外部RAM和外部ROM的区分: 外部RAM访问用MOVX;外部ROM访问用MOVC指令。 内部RAM和外部RAM的前256个单元重叠 内部RAM访问用MOV指令;外部RAM访问用MOVX指令。 说明下图各存储器地址范围? 6.3 I/O接口扩展电路设计 (1)接口线 PA0~PA7、PB0~PB7、PC0~PC7共24条端线。3个口皆为锁存/缓冲寄存器,A口、B口有锁存功能,C口无锁存功能。A、B、C 3口的工作方式由程序设置。 (3)控制线 控制线控制8255的读RD:、写WR、复位RESET及片选CS等。 6.3.3 方式选择及方式控制字 (1)8255工作方式 :方式0、方式1,方式2 (2).方式选择 6.3.4 8255扩展电路及地址设置 (1)8255地址口确定 (2) 8255初始化 例如,欲设置8255的A、B、C口全为输出状态(或输出方 式),控制字为80H。 程序(结合上图)如下: MOV DPTR, #0003H ;8255控制口地址 DPTR MOV A, #80H ;控制字送A MOVX @DPTR, A ;控制字写入控制寄存器 6.3.5 8155可编程I/O接口扩展设计 1、I/O接口线地址数据线控制线 2、8155功能及操作 (1)8155具有3种功能: 扩展RAM、I/O接口使用、定时器使用 (2)状态寄存器格式 可编程定时/计数器
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