第六章 纳米光电子材料和器件.pptVIP

　第六章　纳米光电子材料与器件 概述 超晶格 定义：二种禁带宽度（或导电类型）不同的半导体薄层材料交替生长组成的一维周期性结构。薄层周期小于电子的平均自由程。 一、基本结构 1.禁带宽度不同（组份）超晶格 2.掺杂超晶格 半导体的光吸收机制 机理：载流子吸收光能跃迁； 晶格振动吸收光能。 机制：本征吸收，杂质吸收，自由载流子吸收， 激子吸收，晶格振动吸收。 条件：能量守恒- 动量守恒- 特征：存在长波限。 1.本征吸收 价带电子吸收光子能量跃迁至导带。 2.杂质吸收 3.自由载流子吸收 导带及价带内电子从低能级跃迁到高能级。 能量守恒： 动量守恒：吸收或释放声子。 特征：吸收系数随波长增大而增强。 (跃迁能量间隔小，参与声子少) 4.激子吸收 激子： 处于禁带中的电子与价带中的空穴在 库仑场作用下束缚在一起形成的电中 性系统。激子可以在整个晶体中运动， 不形成电流。 激子吸收： 价带电子受激跃至禁带，形成激子。 激子吸收特征： 激子的概念首先是由Frenkel在理论上提出来的。当入射光的能量小于禁带宽度（ω Eg）时，不能直接产生自由的电子和空穴，而有可能形成未完全分离的具有一定键能的电子-空穴对，称为激子。 作为电中性的准粒子，激子是由电子和空穴的库仑相互吸引而形成的束缚态。激子形成后，电子和空穴作为一个整体在晶格中运动。激子是移动的，它不形成空间定域态。但是由于激子中存在键的内能，半导体-激子体系的总能量小于半导体和导带中的电子以及价带中的空穴体系的能量，因此在能带模型中的激子能级位于禁带内。 激子的分类： 6.3 6.4半导体发光二极管与激光器 LED—Light Emitting Diode Semiconductor Laser §6.3.1 发光二极管简介 什么是量子阱？ 量子阱结构是指载流子的运动在一个方向受到约束，即这个方向的尺寸与电子的德布罗意波长相比拟或更小，载流子只能在二维平面内自由运动 。 在量子阱半导体材料中，原本体材料中准连续的能带变成了量子化的能级或被子禁带隔开的一些子能带。另一方面，由于电子波函数形式的改变，态密度出现不连续性。 4.多量子阱激光器 光子晶体（photonic crystal） 是一种介电常数随空间周期性变化的新型光学微结构材料。 从晶体结构来说，晶体内部的原子是周期性有序排列的，正是这种周期势场的存在，使得运动的电子受到周期势场的布拉格散射，从而形成能带结构，带与带之间可能存在带隙。 * 半导体器件基本类型 电子器件 光电子器件 理论基础 结构基础 漂移-扩散模型 扩散-漂移模型 pn结 组合 MIS 金半结 异质结 发展 新原理，新结构器件 量子器件？光电器件？ 光子器件？集成光路？ Eg1 Eg2 EC EV 略能带弯曲 b c L p n n Ec EV 长波限： # 高掺杂半导体： Eg 能量-动量守恒 直接带隙 间接带隙 Ec Ev 跃迁过程： 施主能级电子—导带 受主能级空穴---价带 电离受主能级电子---导带 电离施主能级空穴---价带 自由载流子等吸收 直接跃迁 间接跃迁 1）弱束缚激子，亦称Wannier激子。此类激子的电子与空穴之间的束缚比较弱，表现为束缚能小，电子与空穴间的平均距离远大于原子间距。大多数半导体材料中的激子属于弱束缚激子。 2）紧束缚激子，亦称Frenkel激子。与弱束缚激子情况相反，其电子与空穴的束缚能较大。离子晶体中的激子多属于紧束缚激子。 LED、Laser基本结构与特点： ---半导体二极管（pn结）； ---单色性好。LED:10～50nm；Laser:0.01～0.1nm LED与Laser区别： LED—自发发射，产生非相干光； Laser—受激发射，产生相干光。 LED与Laser发光机理： 正偏pn结电子与空穴复合，释放出光子---辐射复合 LED、Laser基本特点与原理 1.基本结构 2.基本工作原理 少子扩散长度 p n 衬底 正偏； 非平衡少子辐射复合； 能量-动量守恒。 4.量子阱半导体激光器 不同维度量子限制效应的态密度与能量的关系 单量子阱的