先进光电材料非极性氮化镓磊晶的发展-光电科技工业协进会.PDF

先進光電材料─非極性氮化鎵 磊晶的發展 柯宗憲／王德忠／盧廷昌／郭浩中 現今商業化之藍綠光發光二極體元件主要由三五族氮化物為主，但受限於材 料之成長方向與結構所構成的極性特質，致使電光轉換效率仍然不足。而非 極性三五族氮化物材料除了將有助於電光轉換效率之提高以增加元件之發光 效率之外，非極性材料放射之光源亦具有偏振光之特性，將有利於光電元件 之應用。 傳統藍綠光LED主要是以氮化鎵(GaN)材料為主， 1997年在成長於c-plane藍寶石基板的 LED商業化 GaN系的材料結構為六角柱結構(hexagonal)，故單一晶 正逐漸起步之時，日本Fujitsu實驗室的Domen等人利用 粒具有極性，目前商業化的藍綠光LED均將GaN等材料成 MBE成長m-plane GaN於SiC上[1]，並探討該材料的光學 長於c-plane的藍寶石基板，而這樣子的成長方式與結 特性及偏振性，如圖1所示，在不同的偏振片角度下， 構會產生一個問題，沿著載子流動的方向會因為原子電 m-plane GaN會產生強弱不同且的PL光譜，主要是因為 荷的不對稱而產生內建電場，此內建電場的成因有二： 價帶分裂後，不同能帶下具有不同數量的載子躍遷所 (1)主要為結構中三、五族原子所帶的電荷不同；(2)由 致。 於材料與基板本身的晶格不匹配所造成的壓電場效應所 圖1 於極性氮化物不同厚度下之量子井中，由QCSE所造 致，此特性稱之為史坦克效應(Quantum Confine Stark 成之能帶傾斜現象。 Effect, QCSE)。QCSE會使得量子井能帶結構產生歪 斜，進而影響電子、電洞波函數的重疊機率降低，使 得發光效率減弱，如圖1所示。近年來的國際研討會上 (如2005 ICNS及2006 IWN)，現今在美國加州大學聖塔 芭芭那校區服務的中村修二博士大力提倡無極性(non- polar)三五族的優勢及潛力，因此無極性的發光元件極 具學術研究與技術發展的價值。因此，我們在底下將對 非極性a-plane及m-plane氮化物相關的研究作個簡單的 資料來源：Fujitsu 介紹。 光電科技工業協進會　PIDA 51 圖2 在不同的偏振片角度量測下的m-plane GaN PL光譜 光致激發光譜來量測m-plane GaN的生命期，發現了其 及強度對夾角的比較。 復合時間和原先具有內建電場的c-plane GaN的5.8ns相 比，大量減少至0.45ns，如圖2右所示。且由於m-plane 並無內建電場，因此可以預期利用這樣子的材料作為高 效率白光LED之用。同年，他們進一步針對利用MBE所 成長的m-plane GaN/AlGaN量子井進行偏振光的實驗， 並利用Raman光譜探討其各個方向上入射光與晶格振盪 交互作用的情形，更確認m-plane所成長的量子井結構 資料來源：Appl. Phys. Lett., 71, 1996, 1997 所發出來的光亦具有偏振光的特性，由圖