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* 1.3 二极管电路的 分析方法 1.3.1 理想二极管及 二极管特性的折线近似 1.3.2 图解法和微变等效电路法 第 1 章 半导体二极管 1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似 一、理想二极管 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通,uD = 0;反偏截止, iD = 0 U(BR) = ? 二、二极管的恒压降模型 uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) UD(on) 三、二极管的折线近似模型 uD iD UD(on) ?U ?I 斜率1/ rD rD UD(on) 第 1 章 半导体二极管 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管,R = 2 k?,分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 UO VDD IO R UO VDD IO R [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压降 UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) UO VDD IO R VDD 大, 采用理想模型 VDD 小, 采用恒压降模型 第 1 章 半导体二极管 例1.3.2 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。 解:假设二极管断开 UP = 15 V UP UN 二极管导通 等效为 0.7 V 的恒压源 UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V) IO = UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I2 = (UO ? VDD2) / R = (14.3 ? 12) / 1 = 2.3 (mA) I1 = IO + I2 = 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) VDD1 VDD2 UO RL R 1 kW 3 kW IO I1 I2 15 V 12V P N 第 1 章 半导体二极管 例 1.3.3 二极管构成“门”电路,设 V1、V2 均为理想二极管,当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时,求输出电压 UO 的值。 UA UB UO R 3 kW 12 V VDD V1 V2 B A Y V2 V1 UB UA 输出 电压 理想二极管 输入电压 0 V 0 V 正偏 导通 正偏 导通 0 V 0 V 5 V 正偏 导通 反偏 截止 0 V 5 V 0 V 反偏 截止 正偏 导通 0 V 5 V 5 V 正偏 导通 正偏 导通 5 V 第 1 章 半导体二极管 例 1.3.4 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。 (按理想模型) RL V1 V2 V3 V4 ui B A uO O t uO/ V 15 O t ui / V 15 ui B A uO S1 S2 S3 S4 ui B A uO S1 S2 S3 S4 若有条件,可切换到 EWB 环境观察桥式整流波形。 第 1 章 半导体二极管 例 1.3.5 ui = 2 sin ?t (V),分析二极管的限幅作用。 ui 较小,宜采用恒压降模型 V1 V2 ui uO R ui 0.7 V V1、V2 均截止 uO = ui uO = 0.7 V ui ? 0.7 V V2 导通 V1截止 ui ? 0.7 V V1 导通 V2 截止 uO = ? 0.7 V 思考题: V1、V2 支路各串联恒压源,输出波形如何?(可切至 EWB ) O t uO/ V 0.7 O t ui / V 2 ? 0.7 第 1 章 半导体二极管 小 结 理想二极管: 正偏导通,电压降为零,相当于开关合上; 反偏截止,电流为零,相当于开关断开。 恒压降模型: 正偏电压 ? UD(on) 时导通,等效为恒压源 UD(on); 否则截止,相当于二极管支路断开。 第 1 章 半导体二极管 1.3.2 图解法和微变等效电路法 一、二极管电路的直流图解分析 VDD uD R uD = VDD ? iDR iD = f (uD) 1.2 V 100 ? iD / mA 12 8 4 0 0.3 0.6 uD
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