微电子工艺刻蚀.pdfVIP

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2019-05-01 发布于山东
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微电子工艺刻蚀.pdf

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第九章刻蚀 §9.1 引言 Wafer fabrication (front-end) Wafer start Thin Films Polish Unpatterned wafer Completed wafer Diffusion Photo Etch Test/Sort Implant 刻蚀：用物理或化学方法有选择性的去除材料的工艺过程。刻蚀目的：在衬底表面复制掩膜上图形。刻蚀中所犯错误无法纠正。光刻胶光刻胶将被刻蚀的膜被保护的膜 (a)有光刻胶图形的衬底 (b) 刻蚀后衬底刻蚀工艺分为：湿法刻蚀和干法刻蚀湿法腐蚀：采用化学溶液，借助化学反应腐蚀硅片中无光刻胶覆盖的部分，要求光刻胶有较强的抗蚀能力。湿法腐蚀具有各向同性，造成侧向腐蚀。限制了器件尺寸向微细化发展，用于特征尺寸较大的刻蚀。干法刻蚀包括：反应离子刻蚀，等离子刻蚀和离子溅射刻蚀等。除等离子体腐蚀是各向同性，其他均具有各向异性刻蚀的特点有图形刻蚀，采用掩膜版形成不同的图形均可采用干刻蚀法或湿法刻无图形刻蚀，反刻和剥离无需掩膜版。蚀实现湿法腐蚀液举例： 1、SiO2 腐蚀液： BHF ：28ml HF + 170ml H O + 113g NH F 2 4 2、Si 腐蚀液： 1ml HF + 3ml HNO + 10ml CH COOH (乙酸(醋酸) ) 3 3 3、Si N 腐蚀液： 3 4 o HF 、 H PO (180 C) 3 4 4、Al 腐蚀液： 4ml H PO + 1ml HNO +4ml CH COOH + 1ml H O ， 3 4 3 3 2 湿法腐蚀的特点： (1) 设备简单，方法容易。 (2) 腐蚀的反应产物必须是气体或能溶于腐蚀液的物质。 (3) 湿法腐蚀为各向同性，造成严重的侧向腐蚀，严重限制了器件尺寸向微细化发展。 (4) 湿法腐蚀的化学反应过程常伴有放热和放气，影响刻蚀质量。通常采用搅拌的方式减小上述效应。 (5) 湿法腐蚀耗费大量的酸碱溶液，污染大，成本高。 §9.2 刻蚀参数 1、刻蚀剖面钻蚀图 9.1 刻蚀转移图形的三种常见情况要求：垂直的侧壁或较小的侧壁倾斜。先进集成电路需要88