第二章 固体材料表面与界面电子过程.pptVIP

* 太阳能电池 * 气体传感器 气体传感器是对气体所含特定成分的物化性质作出感应，并将其转化为适当的电信号，从而对气体种类及浓度作出检测的传感器。SnO2 、ZnO、Fe2O3等半导体金属氧化物作为气敏材料已被广泛使用 半导体金属氧化物的气敏机理分为: 1)表面电阻控制机理 2)体电阻控制机理 3)非电阻控制机理； 4)吸附气体产生新能级模型 5)隧道效应模型 6)控制栅极模型 7)接触燃烧模型。 * 气敏机理模型示意图 吸附气体产生新能级模型 * (a) 晶界势垒及空间电荷 ?晶界处集聚有杂质、缺陷和偏析相。 离子（陶瓷）在晶界上的凝集， 则会引起晶界带电。 ?阳离子空位形成数阴离子空位形成数，即晶界上正电荷累积。界面附近晶粒内部则通过空间电荷层将累积电荷抵消了。 ?晶界带电和空间电荷层的形成，引起晶界附近能带弯曲。 ?在氧化物中杂质浓度远大于平衡时的空位，晶界电荷主要由杂质控制。 3.6 晶界势垒及其电荷区 * * ?设界面态密度为Ns(个/cm2)，在耗尽层近似条件下，界面态Ns和施主浓度Nd应满足以下关系Ns= 2Nd?d 故晶界势垒高度φB为 φB=q2Ns/d * 作业： 1 什么是p-n结？ 2 简述p-n结电容特性 4 什么是功函数？什么是表面态？什么是表面势垒？ 5 简述MIS结构及其特性 6. 什么是晶界效应，基于晶界效应的常用器件特征 * 2 PN结基本特性 带负电荷的电离受主 带正电荷电离施主 电离施主与少量空穴的正电荷严格平衡电子电荷 电离受主与少量电子的负电荷严格平衡空穴电荷 电中性 电中性 负电荷区 正电荷区 空间电荷 1) 空间电荷 * d）对于空穴，情况完全相似。 e）没有电流流过p-n结。或者说流过p-n结的净电流为零 空间电荷区的特点： a）内建电场 在内建电场作用下，载流子作漂移运动。电子和空穴的漂移运动方向与它们各自的扩散运动方向相反。内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。 b）在无外加电压的情况下，载流子的扩散和漂移最终将达到动态平衡， c）电子的扩散电流和漂移电流的大小相等、方向相反而互相抵消。 E * PN结基本特性 PN结平衡 VD阻止多子继续扩散，同时有利少子定向漂移 VD：势垒电压 VD = 0.6~0.8V 或 0.2~0.3V VD * 2)单向导电性 PN结加正向电压 流过PN结的电流随外加电压U的增加而迅速上升，PN结呈现为小电阻。 该状态称为PN结正向导通状态。 PN正向应用 U U U * PN结加反向电压 流过PN结的电流称为反向饱和电流(即IS)，PN结呈现为大电阻。 该状态称为PN结反向截止状态。 PN反向运用 U U * 一个p-n结在低频电压下，能很好地起整流作用，但是当电压频率增高时，其整流特性变坏 p-n结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。 3) p-n结电容特性 部分电子和空穴“存入”势垒区 势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少 电子和空穴中和 * 在外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区。反之，当正向偏压减小时，势垒区的电场增强，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这就是有一部分电子和空穴从势垒区中“取出”。 当p-n结加正向偏压时，势垒区的电场随正向偏压的增加而减弱势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少，因为空间电荷是由不能移动的杂质离子组成的，所以空间电荷的减少是由于n区的电子和p区的空穴过来中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主； p-n结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的“存入”和“取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和一个电容器的充放电作用相似。这种p-n结的电容效应称为势垒电容 * 扩散电容 积累的非平衡空穴也增加,与它保持电中性的电子也相应增加 非平衡电子和与它保持电中性的空穴也要增加 正向偏压 空穴从P区注入n区，增加了n区的空穴积累，增加了浓度梯度 由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为p-n结的扩散电容。 p-n结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化，是可变电容。 h+ h+ e- e- 电子从n 区注入P区，增加了P区的电子积累，增加了浓度梯度 * a.平衡p-n结的空间电荷区两端间的电势差VD，称为p-n结的接触电势差或内建电势差。 4）p-n结接触电势差 b. 相应的电子电势能之差即能带的弯曲量qVD称为p-n结的势垒高度 qVD＝EFn-EFp * 3.3 金属和半导体的接触特性 1.金属和半导体的功函数 金属的功函数: 在绝对零度时，一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中静止所需要的最小能量 Wm=E0-(EF)m E0表示真空中静止电子的能量 * 在绝对零度时，一个起始能量