物理和化学积镀膜其它.pptVIP

离子镀 IP (Ion plating），同时结合蒸发和溅射的特点，让靶材原子蒸发电离后与气体离子一起受电场的加速，而在基片上沉积薄膜的技术。 电场作用下，被电离的靶材原子与气体离子一起轰击镀层表面，即沉积与溅射同时进行作用于膜层，附着性提高。 离子镀示意图 离子镀的特点 具有蒸发镀膜和溅射镀膜的特点 膜层的附着力强。 绕射性好，可镀复杂表面。 沉积速率高、成膜速度快、可镀厚膜。 可镀材料广泛，有利于化合物膜层的形成。 溶液镀膜法 是在溶液中利用化学反应或电化学反应等化学方法在基板表面沉积薄膜的一种技术，常称为湿法镀膜。 化学镀 溶胶—凝胶法 阳极氧化法 LB法 电镀法 化学浴沉积法 化学镀 在催化条件下，使溶液中金属离子还原成原子状态并沉积在基板表面上，从而获得镀膜的一种方法，也称无电源电镀。 典型的化学镀镍利用镍盐(NiSO4或NiCl2)和钴盐(CoSO4)溶液,在强还原剂次磷酸盐(次磷酸钠、次磷酸钾等)的作用下，使镍和钴离子还原成镍和钴金属。 溶胶—凝胶法(sol-gel) 将易于水解的金属化合物(无机盐或醇盐)在某种溶剂中与水发生反应，经过水解与缩聚过程而逐渐凝胶化，再经过干燥、烧结处理，获得所需薄膜。 水解反应生成溶胶(水解反应)； 聚合生成凝胶(缩聚反应)。 目前已用于制备TiO2、Al2O3、SiO2、 BaTiO3、PbTiO3、PZT、PLZT和LiNbO3等。 阳极氧化法 金属或合金在适当的电解液中作阳极并加上一定直流电压时，由于化学反应会在阳极金属表面上形成氧化物薄膜，称为阳极氧化。 LB法 郎缪尔-布罗格特(Langmuir-Blodett)30年代提出的。可形成定向排列的有机单分子层或多分子层。 以同时具有亲水基团和疏水基团的有机分子为原料，利用分子亲水端与亲水端相吸，疏水端与疏水端相吸，使有机分子逐次转移到固体基板上，形成单层或多层薄膜。 * * 金属有机物化学气相沉积 （MOCVD-Metal Organic CVD） 概念：利用金属有机物的热分解进行化学气相沉积制备 薄膜的CVD方法 特点：近十几年发展 发展起来的一种新的表面气相沉积技术，它一般使用金属有机化合物和氢化物作为原料气体，进行热解化学气相沉积。 制备范围：在较低温度下沉积各种无机材料，如金属氧化物、氢化物、碳化物、氟化物及化合物半导体材料和单晶外延膜、多晶膜和非晶态膜，已成功应用于制备超晶格结构、超高速器件和量子阱激光器。 研究现状：最重要的应用是Ⅲ~Ⅴ族，Ⅱ~Ⅵ族半导体化合物材料，如GaAs、InAs、InP、GaAlAs、ZnS等气相外延。 可以说MOCVD技术不仅可改变材料的表面性能，而且可直接构成复杂的表面结构，制造出多种新的功能材料，特别是复杂的新功能材料，在微电子应用中已获得很大的成功。 其也可以用于沉积金属膜层，它比采用金属卤化物的沉积温度要低，但MO源往往又具有毒性和易燃性，需加一定的防护措施。 国内至今有二十余个单位在从事MOCVD研究与应用工作，主要是研制多层和超晶格量子阱结构的半导体材料。 原理：原理并不复杂，以化合物半导体GaAs薄膜沉积为例，通常用金属有机化合物和氢化物三甲基鎵、三甲基铝、三甲基铟、砷烷、磷烷，其典型的化学反应原理是： 其化学反应虽不复杂，但反应机理却比较复杂，一般认为反应物先生成一种不稳定的金属有机前置体 再生成聚合物，然后逐步放出CH4 注意事项：大多数金属有机化合物易燃，与H2O接触易爆；部分金属有机化合物和氢化物有剧毒。因此使用这些化合物和工艺操作上，应严格依据有关的防护、安全规定进行操作。 设备：一般由反应室、反应气体供给系统、尾气处理系统和电气控制系统等四个部分组成。MOCVD设备较贵，而且所用的金属有机化合物也很贵，所以只有制备高质量的外延膜层时才用此法。 分类： 常压（APMOCVD）：操作方便，价格成本相对较低，一般常被用来沉积各种薄膜； 低压（LPMOCVD）：主要在考虑亚微米级涂镀层和多层的结构上采用，特别是多层结构，已成功长出多层和超晶格结构。制备的新功能材料使材料的性能与器件的性能都得到了提高； 原子层外延（ALE）：是生长单原子级薄膜与制备新型电子和光子器件的先进技术； 激光MOCVD：用激光不仅可增强工艺过程，而且可局部进行。最大优点，使用低温生长从而减少玷污。 虽然工艺过程较为缓慢，但MOCVD工艺能够满足批量生产的需要，且适合较大的片基。另外MOCVD还具有制备化学组分不同的多层膜的能力；MOCVD的薄膜组成元素均以气体形式进入反应室，通过控制载气流量和切换开关易于控制薄膜组分，薄膜污染程度较小；以金属有机物为源，低温沉积可降低薄膜