压头曲率半径对单晶硅径向纳动损伤的影响木-NSFC.PDFVIP

第 46卷第 9期 机 械 工 程 学 报 Vo1．46 NO．9 2010年 5月 JOURNALOFMECHANICALENGINEERING May 2010 DoI： l0．3901／JM ．2010．O9．107 压头曲率半径对单晶硅径向纳动损伤的影响木 张赜文 余家欣 钱林茂 (西南交通大学牵引动力国家重点实验室 成都 610031) 摘要：采用纳米压痕仪，研究了不同曲率半径的金刚石压头在单晶硅表面的径向纳动运行行为和损伤特征。结果表明，相对 于尖端名义曲率半径，压头在一定压入深度下的等效曲率半径是决定材料纳动损伤的更有效参数。在 50mN的峰值载荷下， 曲率半径20um的球形压头在单晶硅表面的径向纳动以弹性变形为主，未观察到明显的纳动损伤；尽管Berkovich压头尖端 曲率半径仅为 150nnl，但其在单晶硅表面产生的纳动损伤却比2um球形压头轻微。分析其原因，Berkovich压头的等效半锥 角为 70．32。，远大于 2um球形压头的半锥角42．5O。。因此，Berkovich压头在高载下具有更大的等效曲率半径，产生更轻微 的纳动损伤。研究结果还表明，在纳动循环初期，2岬 球形压头和Berkovich压头在硅表面的接触刚度升高较快，单晶硅表 面的加工硬化现象明显；而20tam球形压头基本不引起硅的加工硬化。 关键词：纳动 径向纳动 纳米摩擦学 单晶硅 压头曲率半径 中图分类号：THI17 EffectofCurvatureRadiusofIndenterontheRadialNanofretting DamageofM onocrystalSilicon ZHANGZewen YUJiaxin QtANLinmao (TractionPowerStateKeyLaboratory,SouthwestJiaotongUniversity,Chengdu610031) Abstract：AnanoindenteriSadoptedtostudythemdialnanofrettingbehaviorsofdiamondindentersofdifferentcurvatureradii0nthe monocrystal siliconsurfaceandhtedamagecharacteristic．Itisfoundthatcompraedtohtetipnominalcurvatureradius，hteequivalent curvatureradiusofindenteratacertainidentationdepthplaysamuchmoreimportantroleinhtenanofrettingdma ageofmateria1． Underapeakindentationloadof50mN，noobviousdamageisobservedonSi100after200nnaofrettingcyclesby20 m spherical indenter．Evenwiht arelativelysmallercurvatureradius．150砌 Berkovichnidenterinducestheweka ernna ofrettingdamagethan2 啪 sphericalindenteronSi100．Analysisindicateshtat theequivalenthalfconenagleofBerkovichindenteris70．32。，whichis muchlragre thanthatof2gm sphericalindenter,42．50。．Astheindenattiondepthislargre than300am ，theequivalentcurvature radiusofBerkovichindenteriSlragerhtna thatof2哪 sphericalnidentre．Asaresult，htecontactraeaofBerkovichindenterwillbe lragerandnanoffettingdamagewillbewe