基于聚4鄄乙烯基苯酚-发光学报.PDFVIP

第35卷摇 第1期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾1 2014年1月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Jan. ,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)01鄄0105鄄08 基于聚(4鄄乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的 小分子有机半导体薄膜制备和表征 1,2 1,3 1,2 1* 1 熊贤风 ,元摇 淼 ,林广庆 ,王向华 , 吕国强 (1. 特种显示技术教育部重点实验室 特种显示技术国家工程实验室 现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地 合肥工业大学光电技术研究院,安徽 合肥摇 230009; 2. 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院,安徽 合肥摇 230009; 3. 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥摇 230009) 摘要:采用旋涂法预先在SiO 衬底表面形成一层聚(4鄄乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的 2 6,13鄄双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机 半导体薄膜的形貌。 采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器 件。 作为对比,在未经过表面修饰的SiO 衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过 2 PVP修饰的SiO 衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩 2 形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT 器件具有更高的场效应迁移率。 在有 PVP 修饰层的衬底上制作的 2 -1 -1 OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm ·V ·s ;而直接在SiO 衬底上制作的器件, 2 2 -1 -1 相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm ·V ·s 。 关摇 键摇 词:有机半导体;有机薄膜晶体管;喷墨打印;表面修饰;绝缘聚合物 + 中图分类号:O484.4;TN383 .1摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0105 Preparation and Characterization of Inkjet鄄printed Small鄄molecule Organic Semiconductor Thin Films Based on A Surface Modification Layer of Poly(4鄄vinylphenol) 1,2 1,3 1,2 1