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N沟道增强型MOSFET ——Notes 全称：N-Metal-Oxide-Semiconductor N沟道增强型MOSFET ： 由于这种结构在Vgs=0时，Id=0，称这种MOSFET为增强型 区别于P沟道MOS，符号箭头方向是相反的，箭头内指是N沟道的MOS。 N-MOS的截面图： D：漏极（drain） S：源极（source） G：栅极（gate） 在单个N-MOS封装中，常会有寄生二极管的存在，其位置如图。集成电路中，则没有寄生二极管 N-MOS的工作原理 特殊参数 Vds：漏极和栅极间的电压，MAX值最为有用（耐压） Vgs：栅源电压作为控制电压 Vgs(th)：开启电压，刚刚产生导电沟道所需的栅源电压Vgs Id：漏极电流，Idm指MOS能带负载最大电流 gm：低频跨导，在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS；CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间 RGS：直流输入电阻，MOS管的RGS可以很容易地超过1kΩ N-MOS的特性：Vgs大于Vgs(th）就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动） 工作原理描述 （1）Vgs=0，没有导电沟道 此时栅源短接，源区，衬底和漏区形成两个背靠背的PN结，无论Vds的极性怎样，其中总有一个PN结是反偏的，所以d,s之间没有形成导电沟道，MOS管处于截止状态。 （2）Vgs≥?Vgs(th)，出现N沟道 栅源之间加正向电压 → 由栅极指向P型衬底的电场 → 将靠近栅极下方的空穴向下排斥 → 形成耗尽层 再增加Vgs → 纵向电场将P区少子（电子）聚集到P区表面 → 形成源漏极间的N型导电沟道 → 如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id （3）输出特性曲线 MOS的输出特性曲线是指在栅源电压Vgs?VGS(th）且恒定的情况下，漏极电流id与漏源电压Vds之间的关系，可以分为以下4段： 线性区 当Vds很小时，沟道就像一个阻值与Vds无关的固定电阻，此时id与Vds成线性关系 过渡区 随着Vds增大，漏极附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当Vds增大到Vdsat(饱和漏源电压)时，漏端处可动电子消失，此时沟道被夹断 饱和区 当Vds?Vdsat时，沟道夹断点向左移，漏极附近只剩下耗尽区，此时id几乎与Vds无关而保持idsat不变，曲线为水平直线 击穿区 Vds继续增大到BVds时，漏结发生雪崩击穿，id急剧增大 将各曲线的夹断点用虚线连接起来，虚线左侧为可变电阻区，右侧为饱和区。Vgs?VGS(th）时，称为截止区。 （4）转移特性 漏源电压Vds一定的条件下，栅源电压Vgs对漏极电流id的控制特性。可根据输出特性曲线作出移特性曲线。例：作Vds=10V的一条转移特性曲线。 MOS管的驱动 MOS管的模型 Ciss=?CGD+?CGS Coss=?CDS+CGD Crss=?CGD （1）T0~T1：驱动通过RGATE对Cgs充电，电压Vgs以指数的形式上升 （2）T1~T2：Vgs达到MOSFET开启电压，MOSFET进入线性区，Id缓慢上升，至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全部电压Vdd?。 （3）T2~T3：T2时刻Id达到饱和并维持稳定值，MOS管工作在饱和区，Vgs固定不变，电压Vds开始下降。此期间Cgs不再消耗电荷，VDD开始给Cgd提供放电电流。 （4）T3~T4：电压Vds下降到0V，VDD继续给Cgs充电，直至Vgs=VDD，MOSFET完成导通过程。 Vgs的各个阶段的时间跨度同栅极消耗电荷成比例（因△Q?=?IG△T，而IG在此处为恒流源之输出）。 T0?~?T2跨度代表了Ciss（VGS+?CGD）所消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的参数Qgs(Gate?to?Source?Charge)。 T2?~?T3跨度代表了CGD（或称为米勒电容）消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的参数Qds(Gate?to?Drain?(“Miller”)?Charge)。 T3时刻前消耗的所有电荷就是驱动电压为Vdd、电流为Id的MOSFET所需要完全开通的最少电荷需求量。 T3以后消耗的额外电荷并不表示驱动所必须的电荷，只表示驱动电路提供的多余电荷而已。 开关损失： 在MOSFET导通的过程中，两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，那么这段时间里，MOS管损失的是电压和电流的乘积，称为开关损失。 导通损耗： MOS管在导通之后，电流在导通电阻上消耗能量，称为导通损耗。 POWER?MOSFET?驱动保护 导通过程中，为防止误导通，G-S间应并