西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践 引言（2）.pptVIP

1.3 晶体生长、晶圆片制造与硅晶圆片的基本特性 Si---IC工业基础材料的最佳选择 储量丰富 Si-Sio2界面特性 硅基材料 单晶硅 多晶硅 非晶硅 1.晶体生长 ⑴原料提纯 硅提纯并转化成晶体形状： ⑵硅单晶生长使用的方法： 直拉（CZ）和区熔（FZ）技术。 CZ工艺（普遍采用） 现代CZ单晶生长设备图 2.对圆片材料的的要求 导电类型：N型和P型都易制备； 电阻率：10-5~108Ω.cm，均匀性好（纵向、横向、微区）， 可靠性高； 寿命（少数载流子）：晶体管---长寿命 开关器件---短寿命 晶格完整性：无位错或低位错（1000个/cm3）。 纯度：电子级硅（EGS,electronic-grade-silicon）---1/109杂质 晶向：MOS器件---（100） 双极器件---（111） 直径、平整度、主次定位面、禁带宽度、迁移率、晶格匹配 3.圆片的准备和规格 ⑴最终成品有几乎完美的平面，正面要抛光到镜面且没有任何锯片和其它操作带来的机械缺陷。 ⑵现代IC制造厂圆片的直径大约是150-300mm(6-12in) ⑶圆片具备的参数规范： 电参数---N型或P型、电阻率、掺杂剂 机械性能参数--