西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践第八章 光刻与刻蚀工艺（2）.pptVIP

8.2 分辨率 分辨率R－表征光刻精度 光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 表示方法：每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数。 若可分辨的最小线宽为L（线条间隔也为L），则 R＝1/(2L) (mm-1) 1.影响R的主要因素： ①曝光系统（光刻机）： X射线（电子束）的R高于紫外光。 ②光刻胶：正胶的R高于负胶； ③其他：掩模版、衬底、显影、工艺、操作者等。 2.衍射对R的限制 设一任意粒子（光子、电子），根据海森伯不确定关系，有 ΔLΔp≥h 粒子束动量的最大变化为Δp=2p，相应地 ΔL≥h/2p ΔL为分清线宽L必然存在的误差。 若ΔL是线宽，即为最细线宽，则 最高分辨率 ① 对光子：p=h/λ，故 。 上式物理含义：光的衍射限制了线宽≥ λ/2。 最高分辨率： ②对电子、离子：具有波粒二象性（德布罗意波），则 ，