第二章核磁共振.pptVIP

当氢核围绕着它的自旋轴转动时就产生磁场。由于氢核带正电荷；转动时产生的磁场方向可由右手螺旋定则确定。由此可将旋转的核看作是一个小的磁铁棒。 常见结构单元化学位移范围 化学位移表1 chemical shift table 13C 谱 化学位移范围大 300 ppm 1H 谱的 20~30 倍 分辨率高 谱线之间分得很开，容易识别 碳谱中 1H 和 13C 1J1H-13C 是最重要的作用 J: 100 ~ 300 Hz范围 化学位移范围：0～250ppm；核对周围化学环境敏感，重叠少氢谱与碳谱有较多共同点； 碳谱化学位移规律： (1) 高场?低场 碳谱：饱和烃碳原子、炔烃碳原子、烯烃碳原子、羧基碳原子 氢谱：饱和烃氢、炔氢、烯氢、醛基氢； (2) 与电负性基团，化学位移向低场移动； 13C NMR化学位移 影响化学位移的因素 诱导效应 CH3X 不同化学位移与-X的电负性 化合物 电负性（X） 4.0（F） 3.5（O） 3.1（Cl） 2.8（Br） 2.5（I） ?（ppm） 4.26 3.40 3.05 2.68 2.16 X?, ??: X?, 电子云密度?, 屏蔽效应?, 共振在较低磁场发生， ? ? 吸电子基团越多, 这种影响越大 ??3.05 ??5.30 ??7.27 吸电子基团减小电子云密度，从而使屏蔽作用减小，化学位移移向低场，化学位移值增大 基团距离越远，受到的影响越小 C H 2 C H 3 C H 2 Br 1.25 1.69 3.30 ? ? ? ? 吸电子基团距离越远，对质子的电子元密度影响越小，最靠近的质子收到的影响最大，因而电子元密度越小，屏蔽作用越小，化学位移值越大 氢核周围电子云密度 屏蔽效应 化学位移（δ） 共振吸收峰 小 小 大 低场出现 大 大 小 高场出现 小结： G—CH2—H ： G吸电子效应δ值增大； G给电子效应δ值增小。 峰的裂分和自旋偶合 应用高分辨率的核磁共振仪时，得到等性质子的吸收峰不是一个单峰而是一组峰的信息。这种使吸收峰分裂增多的现象称为峰的裂分。 例如：乙醚的裂分图示如下。 峰的裂分 自旋偶合 裂分是因为相邻碳上质子之间的自旋偶合（自旋干扰）而产生的。 我们把这种由于邻近不等性质子自旋的相互作用（干扰）而分裂成几重峰的现象称为自旋偶合。 自旋?自旋耦合 相邻碳上氢核的相互影响 自旋偶合的产生（以溴乙烷为例） 若化合物中两个相同原子核所处的化学环境相 同，且它们对任意的另外一核的耦合常数亦相 同（数值和符号），则两原子为磁等价的。 Ha在外磁场中自旋，产生两种方向的感应小磁场H′ 当两个 Ha 的自旋磁场作用于 H b 时，其偶合情况为： b. 自旋偶合的限度（条件） 1°磁等性质子之间不发生偶合。 2°两个磁不等性质子相隔三个σ键以上，则不发生偶合。 3°同碳上的磁不等性质子可偶合裂分。 c. 裂分峰数的计算 裂分峰数用n + 1规则来计算（n—邻近等性质子个数；n + 1—裂分峰数） 例如： 当邻近氢原子有几种磁不等性氢时，裂分峰数为（n + 1）（n′+ 1）（n″+ 1） 对于自旋耦合 可以归纳以下几条规则： 某核和n个磁等价的核耦合时，可产生n+1条谱线，若它再与另一组m个磁等价核耦合，则谱线的数目 是（n+1）(m+1）条。 谱线裂分的间距即是它们的耦合常数J 。 一级类型的多重峰通过其中点作对称分布，中心 位置即为化学位移值。 多重峰的相对强度为二项展开式（a+b）n的系数， n为等价核的个数。即可由下表表示: n（核的个数） 谱线相对强度 0 1 1 1 1 2 1 2 1 3 1 3 3 1 4 1 4 6 4 1 5 1 5 10 10 5