广东省LED外延发展主要特点与趋势分析.doc

PAGE 2 PAGE 2 广东省LED外延产业发展的主要特点与趋势分析 LED产业链包括上游的外延片制造、中游的芯片制备、下游的封装、测试及照明显示应用等环节。外延片制造在整个LED产业中的技术含量最高，所需投资最大，是产业链中利润较高的环节，同时也是我国LED产业的薄弱环节。为准确把握广东LED外延片产业发展情况，探讨广东LED外延片产业今后发展的方向，本文将从广东LED外延片的产业化、企业、产品、技术等方面分析其发展主要特点，从技术发展路径和区域优势探寻其发展趋势。 国内外LED外延产业发展概况 外延片处于LED产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70%，外延片成本要占到封装成品的70%。LED原材料包括砷化镓单晶、氮化铝单晶等，它们大部分是III—V族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，其他材料还有金属高纯镓。衬底材料是LED照明的基础，也是外延生长的基础，不同的衬底材料需要不同的外延生长技术，并影响到芯片加工和器件封装。因此，衬底材料的技术路线会影响整个产业的技术路线，是各个技术环节的关键。目前，能作为衬底材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、ZnO等，但目前商用最广泛的是Al2O3、SiC。外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD），但即使是这种“最经济”的方法，其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。 原材料 原材料 衬底材料 设备 外延片 芯片 LED封装 应用 照明 显示屏 LCD背光 上游 中游 下游 图1 LED产业链图 （一）全球LED外延产业概况 由于经济的全球化，LED产业的发展也在逐步形成国际分工，国际LED产业链企业数量分布梯度明显，产业链上游的外延生长是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。 外延片材料主要是硅，硅外延片也是当前外延片的主体。世界多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越（本部在日本，马来西亚、美国、英国）、MEMC（本部在美国，意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾）、Wacker（本部在德国，美国、新加坡）、三菱（本部在日本，美国、印度尼西亚）等公司所控制，这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外，都在其它国家和地区设厂，是跨国生产与经营的公司。 LED产业的核心技术之一是外延生长技术，其核心是在MOCVD设备（俗称外延炉）中生长出一层厚度仅有几微米的化合物半导体外延层。MOCVD设备是LED产业生产过程中最重要的设备，其价值占整个产业链（外延片—芯片—封装和应用）的70%。目前，作为上、中游外延片和芯片技术，国际上有严格的技术壁垒，只有美、日、德等国的少数企业掌握。目前，世界范围内能够生产MOCVD设备的企业，主要有德国爱思强（Aixtron，70%国际市场占有率）、美国维易科（Veeco，20%国际市场占有率）、日本大阳酸素（Sanso，7%国际市场占有率）等。当前，国际上GaN研究和生产最成功的企业是日本日亚公司（Nichia）和丰田合成（Toyota Gosei），均使用自行研发的MOCVD设备。韩国企业在政府的支持下，已通过引进英国Thomas Swan的技术，仿制出MOCVD设备并开始销售。目前，行业内最领先的日本企业对技术严格封锁，其中对GaN材料研究最成功的日本日亚化学和丰田合成（Toyoda Gosei）的MOCVD设备则根本不对外销售，另一家技术比较成熟的日本酸素（Sanso）公司的设备则只限于日本境内出售。 图2 世界范围内MOCVD设备制造商市场占有率 技术上，日本、美国、德国的公司掌握了目前国际上最先进的高亮度LED照明外延生长技术，并且各有不同的特点，但都利用各自原创性核心专利在世界范围内设立了专利网，仅与GaN相关的专利就有4000多项，美国、日本GaN蓝、绿光LED照明专利有500多项。在外延技术上，目前大量的专利集中在对GaN基LED的讨论，缓冲层的出现使得在衬底材料上的GaN生长质量更加优良。 表1 世界LED外延厂商生产情况 公司名称 生产概况 日本Nichia日亚公司 GaN基高端蓝、绿、紫及紫外LED外延技术，产量大。 日本Toyoda Gosi丰田合成公司 GaN基蓝、绿光LED及白光LED产量很大。 美国Gree公司 以SiC衬底的GaN基外延，蓝、绿LED及白光LED，产量大。 美国Lumileds公司 GaN基蓝、率LED外延及白光LED，AlGalnP功率LED。 德国Osram光电公司 欧洲最大的GaN基蓝、率LED外延及白光LED的厂商。 南韩首尔半