IGBT器件培训讲义.pptVIP

三、IGBT主要电气参数和特性 （3）短路安全工作区（SCSOA) 三、IGBT主要电气参数和特性 8、结电容 极间电容包含两类：一类为Cge和Cgc，决定于栅极的几何形状和SiO2绝缘层的厚度；另一类为Cce，取决于沟道面积和有关PN结的反偏程度。 三、IGBT主要电气参数和特性 9、閾值电压Vge(th)和栅电荷Qg 三、IGBT主要电气参数和特性 10、反并联二极管参数 三、IGBT主要电气参数和特性 11、热阻参数 温态热阻 IGBT瞬态热阻（二极管芯片也有一个类似的结壳瞬态热阻曲线） 三、IGBT主要电气参数和特性 12、绝缘耐压和机械参数 绝缘耐压： 机械参数： 四、IGBT选用 1、何时应选用IGBT？ 四、IGBT选用 2、主要供应商 厂家 主要规格范围 INFINEON 600V/400A，1200V/600A，1700V/3600A，6500V/600A， SEMIKRON 600V/400A，1200V/960A, 1700V/830A; MITSUBISHI IGBT:600V/600A, 1200V/1400A, 1700V/1000A；IPM:600V/600A,1200V/450A, FUJI IGBT:1200V/400A; IPM:1200V/75A;600V/150A TYCO 中小功率模块; PIM：600V/50A;1200V/35A; APT 分立IGBT，600V/1200V（100A），模块可定制； IXYS 三相桥1200V/150A；PIM:1200V/75A;单管6500V/600A； ABB 1200V/3600A；3300V/1200A;6500V/600A 四、IGBT选用 3、IGBT驱动 IGBT的驱动方式从易到繁分直接驱动、电流源驱动、双电源驱动、隔离驱动（又分变压器隔离与光电隔离）、集成模块式驱动，在需要有延迟开通功能时多采用光电隔离驱动或集成模块驱动方式。综合起来、驱动设计的一般要求有以下几点： 四、IGBT选用 通常驱动电路必须提供正栅压＋15V，关断负栅压-2～10V； 栅极驱动电路必须能够传送一个与总的栅极电荷乘以开关频率相等的平均电流，它也必须能够传送2到3A的峰值电流。同时能输出用于关断的负电平； 为使瞬变和振荡减到最小，应在栅极串联一个低值的电阻（几Ω到几百Ω不等，见厂家推荐的数值或图表）； 栅－发射极之间应设计齐纳二极管，并尽可能近地同该器件相连； 驱动电路布线必须采用适当的接地，驱动电流导线尽可能短； 避免主回路导电条与驱动电路混合或相交； 驱动器电源两端须有高频旁路方式，并尽可能接近驱动电路； 四、IGBT选用 4、并联使用 （1）IGBT并联使用时突出的问题是均流，影响均流的直流参数是VGE(th)、gfs和VCE(on) ，饱和压降偏差不要超过15%，阈值电压偏差不要超过10%，跨导也要近可能接近。此外，驱动电阻应分立，以防止出现振荡， 驱动电路、发射极的杂散电感对并联影响尤其重要，应尽可能地对称。 不推荐使用不同厂家的产品并联使用，这样可以基本排除交流参数对均流的不良影响。 四、IGBT选用 （2）典型电路推荐（具体细节可参阅相关资料）： 栅电阻分离 Re限制发射极回路环流且阻尼振荡 100V1A肖特基二极管：平衡短路条件下的发射极压降 四、IGBT选用 （3）注意反并二极管温度系数的影响 并联使用情况（尤其整流应用）下，尽量选用具有正温度系数（或者在使用电流范围具有正温度系数）的反并二极管的IGBT模块，以获得更好的均流效果。如Encom二极管、HD CAL二极管等； 四、IGBT选用 5、散热考虑 （1）功率模块内部热阻分布 1200V (Al2O3）IGBT模块内部热阻分布比例 四、IGBT选用 （2）热阻模型和结温计算 代表同一铜底板上不同元件的热耦合，简化计算时可忽略。 四、IGBT选用 （3）导热硅脂厚度对模块（flowPIM）散热的影响 四、IGBT选用 6、降额应用 四、IGBT选用 7、安装加工 （1） 预防ESD损伤 IGBT的栅氧厚度比功率MOSFET要厚，这使得它对静电不如后者敏感。但是IGBT毕竟是MOS栅器件，应用中须有防静电措施： 控制电路中设计栅极泻放电阻和稳压管保护； 运输、储存、加工、焊接中注意避免静电损伤（静电电压控制在100V以下）； 四、IGBT器件选用 (2) 使用平整度好的散热器 Heatsink ? 20 μm ? 6,3 μm 平整度 粗糙度 100mm Heat sink Semiconduct