多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究.PDF

年第 期( )卷 ０３０８８ ２０１４ ３ ４５ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１４０３Ｇ０３０８８Ｇ０４ 多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究∗ , , , , 李 娟 刘政鹏 罗 翀 孟志国 熊绍珍 　 　 ( , , ) 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 天津 ３０００７１ : ( ) , 摘 要 研究了氢等离子体钝化多晶硅 薄 玻璃上沉积 厚的 薄膜 并采用固 　 　 olＧSi le２０００ １００nm aＧSi p y g . , ( ) ( ) . 膜中缺陷态的详细物理机制 结果表明 多晶硅中不 相晶化 SPC 或金属诱导晶化 MIC 方法进行晶化 同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化. PECVD方法沉积 aＧSi薄膜条件为采用氢稀释硅烷 , ; ∗ (( ) ( ) ), / , H 具有较低的能量 主要钝化悬挂键类缺陷态 H 具 V SiH ∶V H ＝１∶４ 流量为 ４０mLmin气压 α ４ ２ , , , ( ) , 有较高的能量 对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷 为４３Pa衬底温度为 ２７０℃ 射频 RF功率为 １０W ; , / . 态更有效 Hβ 和 Hγ 具有的能量最高 可以用来钝化 薄膜平均生长速率为 ２．０nm min 晶化之前先进行 . , . 晶粒内部的缺陷态 这些分析和结果有利于优化 H ４５０℃ ２h的去氢处理 LPCVD方法沉积 aＧSi薄膜 , . , , 等离子体钝化多晶硅的条件 进一步提高多晶硅性能 条件为压力为 ８０Pa衬底温度为 ５５０℃ 其平均生长 : ( ); ; ; / . : 关键词 多晶硅 氢等离子体 缺陷态 钝化 速率为 晶化方法 环境中 　 olＧSi ２．０~２．５nm min SPC N p y