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1 半导体中的电子状态
2 半导体中载流子的统计分布
3 载流子输运与导电
4 非平衡载流子
- 结
5 p n
6 金属和半导体的接触
半导体表面与 结构
7 MIS
半导体异质结
半导体表面与 结构
8 MIS
9 半导体的光、热、磁效应
6 金属和半导体的接触
本章内容提要
金半接触及其能带图
整流特性(肖特基模型和巴丁模型)
少子注入和欧姆接触
4
1874年:F. Braun发现金属和硫化物半导体接触时具有整流作用
(CuFeS2 、PbS等)
r
o
t
c
上世纪初期Cu O、Se整流器 u
2 d
n
o
c
i
m
e
上世纪30年代末:点接触硅整流器 s
I
1938年:W. Schottky在能带论的
I
基础上提出金-半接触界面 metal
势垒模型( 肖特基势垒),奠定了金-半接触的理论基础!
1940s~:随着p-n结二极管的出现,金-半接触在器件方面的应用地位降低
1960s:平面工艺制作出金-半二极管(肖特基二极管)
近乎理想的伏安特性,噪声低,频率特性好
随后,应用领域的快速发展推动了金-半接触理论的进一步发展
5
整流接触:微波技术和高速集成电路
金属—半导体接触
欧姆接触:电极制作
半导体器件和电路的重要组成部分
能带图
半导体物理的重要内容 整流特征
欧姆接触
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