磁电式传感器[2]2009 .pptVIP

小节 电磁式传感器结构与工作原理 霍尔元件 霍尔效应 磁阻效应 霍尔元件的误差和补偿 磁敏二极管和磁敏三极管结构原理 2，6，7 温度误差补偿 热敏电阻具有负温度系数，电阻丝具有正温度系数 （a）、（b）、（c）中的霍尔元件具有负温度系数 （d）中的霍尔元件具有正温度系数 温度误差补偿 E2 w1 w2 E1 w3 R2 R3 R4 R1 Rt UHt 调节电位器W1可以消 除不等位电势。电桥由 温度系数低的电阻构成， 在某一桥臂电阻上并联 一热敏电阻。当温度变 化时，热敏电阻将随温 度变化而变化，使电桥 的输出电压相应变化，只要仔细调节，即可补偿霍尔电势的变化，使其输出电压与温度基本无关 已知某霍尔元件尺寸为长l= 10mm，宽b = 3.5mm，厚d = 1mm。沿l方向通以电流I= 1.0mA，在垂直于b×l面方向上加均匀磁场B = 0.3T，输出霍尔电势UH = 6.55mV。求该霍尔元件的灵敏度系数KH和载流子浓度n是多少？ UH b l d I FL B 有一霍尔元件，其灵敏度KH=1.2mV/mA·kGs，把它放在一个梯度为5kGs/mm的磁场中，如果额定控制电流是20mA，设霍尔元件在平衡点附近作±0.1mm的摆动，问输出电压范围为多少? 霍尔式位移传感器 将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通人电流I，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量 输入轴 输入轴 霍尔传感器 （a） （b） 霍尔式转速传感器 霍尔计数装置 霍尔开关传感器 绝缘板 磁铁 N S +12V SL3051 A S VT +V C R5 RL R4 R3 R1 R2 计数器 4.1 磁敏电阻传感器 磁阻效应：当一载流体置于磁场中，其电阻会随着磁场而变化 磁阻效应方程：在只有电子参与导电的简单情况下 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度影响较大 S级 N级 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 R/Ω 1000 500 B/T 温度（℃） 0 20 150 50 40 80 100 电阻（Ω） 100 60 半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。 4.2 磁敏二极管和磁敏三极管 磁敏二极管、三极管是继霍尔元件和磁敏电阻之后发展起来的新型磁电转换元件，它们具有磁灵敏度高，能识别磁场的极性、体积小、电路简单等特点，因而日益得到重视，并在检测、控制等方面得到应用 4.2.1 磁敏二极管 + － （a）结构 （b）符号 P+ N+ I区 r区 P+-I结 N+-I结 4.2.1 磁敏二极管 当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正向偏压后，则有大量的空穴从P+-I结进入I区，同时也有大量电子从N+-I结进入I区。进入I区的空穴和电子大部分通过漂移和扩散运动到达对面的电极形成电流。少部分由于热运动进入r区而复合 P+ N+ I区 r区 4.2.1 磁敏二极管的结构原理 P+ N+ I区 r面 H+ P+-I结 N+-I结 4.2.1 磁敏二极管的工作原理 P+ N+ I区 r面 H- P+-I结 N+-I结 4.2.2 磁敏二极管的主要特性 伏安特性 -0.2 2 1 3 5 7 9 U/V I/mA 0 0.2T 0.15T 0.1T 0.05T -0.05T （a） 5 3 1 I/mA 4 6 8 10 U/V -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 （b） 5 3 1 I/mA 4 8 12 16 U/V -0.1 0 0.1 0.4 0.3 0.2 -0.3 （c） -0.1T -0.15T -0.2T 0 0 0 锗磁敏二极管 硅磁敏二极管 负阻现象 4.2.1 磁敏二极管的主要特性 磁电特性 4.2.1 磁敏二极管的主要特性 T/℃ 0 20 40 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 E=6V B = 0.1T 80 60 -20 -5 -4 -3 -2 -1 I ΔU I/mA ΔU/V 温度特性 4.2.1 磁敏二极管的测量电路 Rm1 E U0 Rm2 Rt E U0 Rm Rm1 Rm2 Rm3 Rm4 E U0 E