半导体材料导论5-1.ppt

切片是制片的第一步，按要求切成一定厚度的晶片。 所使用的切片设备为内圆切割机，其原理如图4.24所示。 内圆切割在切片过程中，切片变形小，切割精度高。刀片的厚度为225~320mm之间，一般切缝的材料损耗约占晶体的30%~40%，切片的成品率可达98% 以上。 对6英寸以上直径的单晶已开始使用线切割机 进行切片。 5.4.2 切片 磨片：的目的是去除切片的刀痕与损伤层，提高成批晶片的厚度的一致性、平行度、表面的平整度。所用的磨料为金刚石、SiC、Al2O3、ZrO2等。 倒角:是将晶片的边缘磨圆，以防止在其后的加工过程中发生崩边，或在器件的甩胶过程中造成胶在晶片边缘处堆积。 5.4.3 磨片与倒角 图5.24 切片示意图 粘结胶 石墨托板 晶体 刀片 刀架 5.4.4 抛光 抛光对制作器件是最关键的一步。 抛光片可以直接用来制作器件，也可以作为外延的衬底材料，两者都对抛光有明确的要求，这些要求包括几何精度、表面质量、表面洁净度。 随着集成电路的集成度的不断提高，相应的要求亦有所提高，不但直径要增大，技术要求也相应地提高，并不断有新的要求出现，如表5.4所示。 表5.4 大小直径硅片技术要求（代表值）的比较 *表中的小直径为直径150mm的硅片，用于集成度相对较低的集成电路，大直径为直径≥150mm硅片，用于兆位级以上的集成电路。 * * 抛光按其原理可分为机械抛光、化学抛光与化学机械抛光。 机械抛光的优点是片子的几何精度高，但由于抛光靠机械研磨，磨料的硬度必需要高于半导体材料的硬度，因此抛光表面的损伤是无法避免的。 化学抛光可以作到表面无损伤，但是化学腐蚀速度受到各种因素的影响而很难完全均匀，不易获得很好的平坦度。 而化学机械抛光则可兼有两者的优点，所要研磨掉的不是材料本身，而是材料与化学试剂反应的产物，因此磨料的硬度可以低于材料，这样就可以不损伤其表面。 目前硅、砷化镓等都使用化学机械抛光。以硅为例，其化学机械抛光设备示意图见图5.25 抛光具有粗抛与精抛两个工序，粗抛的目的主要是去掉磨片所造成的损伤层，精抛主要是获得优质的表面。 图5.25 硅抛光机示意图 抛光垫 抛光铊 压力 抛光液 红外元件 硅片 “外延“一词来自希腊文epitaxis。epi是在上面，taxis是按顺序排列。外延生长是指在单晶衬底上与衬底的晶体结构按一定的关系连续生长单晶层的过程。 因此外延生长的结构是衬底与外延层呈一个连续的单晶体，但是衬底与外延层的物质成分不一定相同，晶体结构也不一定相同。 根据衬底材料与外延层材料的化学组成可分为真同质外延（true homoepitaxy）、赝同质外延（pseudo-homoepitaxy）、真异质外延（true heteroepitaxy）和赝异质外延（pseudo-heteroepitaxy）。 真同质外延是指衬底与外延层的化学组成，包括掺杂剂及其浓度完全相同，这种材料尚未实际应用。 赝同质外延是指衬底与外延层的主体构成元素是相同的，但掺杂剂的种类和（或）浓度不相同，这是用途最广、用量最大的外延片，通常简称同质外延（片）。 真异质外延是指衬底与外延层的化学构成完全不同。 赝异质外延是指衬底与外延层的化学组成中有一个或部分组元是相同的。 后两种外延简称异质外延（片）。 5.5 外延生长 5.5.1 概述 既然已经能制出单晶，并可制成片，那为什么还要外延呢？ 实际上利用外延可以生产种类更多的材料，而且形成多种结构，使器件设计增加了更多的选择，并使器件获得革命性的进展。外延的具体作用有如下几方面。 （1） 由于外延生长温度都低于从熔体生长单晶的温度，温度低可降低污染并有利于获得较好的化学配比，可获得优质高纯的外延层，器件的有源层就做在外延层上。例如GaAs、GaP、InP就是如此。 （2） 在重掺（即电阻率很低）的衬底上，生长具有较高电阻率的外延层，可以解决器件的击穿电压（耐压高则要求电阻率高）与串联电阻之间的矛盾、频率与功率之间的矛盾。在高集成度MOS、CMOS电路中使用外延层可消除 软误差（soft error）和闩锁效应（latch-up），以保证电路的可靠性。 （3）生长三元或多元化合物或固溶体。用通常熔体生长三元或多元化合物的单晶是困难的，其化学配比很难准确达到和保持。而生长固溶体，由于构成固溶体的元素在凝固时会发生偏析，因此难以得到沿生长方向组分均匀的固溶体。用外延生长能克服这些困难。 （4）用外延方法生成结，在双极型电路中作为隔离之用。 （5）是制作异质结、量子阱、超晶格结构的唯一方法。用外延方法可以控制到单原子层生长，并生长不同组分相互交替的多层结构。 表5.5 外延方法及其应用 外延生长的方法比较多，其中重要的有: 化学汽相外延，金属有机化学汽相外延、液相外延、分子束外延、化学分