电磁兼容设计-第三章.ppt

电磁屏蔽效能的解析法 吸收损耗、多次反射损耗与衰减常数和屏蔽体厚度的乘积相关。 、 吸收损耗 工程为了计算方便，将吸收损耗重新改写为 式中，有屏蔽体的厚度，屏蔽体的相对磁导率，屏蔽体相对于铜的电导率。 通过上式，可根据所要求的吸收衰减量求出屏蔽体的厚度，即 电磁屏蔽效能的解析法 、 反射损耗 由于自由空间的波阻抗比金属屏蔽体的波阻抗大得多，即 反射损耗可简化为 由于自由空间的波阻抗在不同类型的场源和场区中，其数值是不一样的. 电磁屏蔽效能的解析法 () 远区平面波的波阻抗为 ()? 近区电场的波阻抗为 () 近区磁场的波阻抗为 电磁屏蔽效能的解析法 () 金属屏蔽（良导体的）波阻抗 对于铜 对于任意的良导体有 电磁屏蔽效能的解析法 由以上波阻抗，可得到 (ⅰ) 远场区的平面波反射损耗 (ⅱ) 近场区的电场反射损耗 (ⅲ) 近场区的磁场反射损耗 电磁屏蔽效能的解析法 通过上面表示的反射损耗，讨论影响表面反射损耗的因素。 屏蔽材料：屏蔽材料的电导率越高，磁导率越低，反射损耗越大。 场源特性：对于同一屏蔽材料，不同的场源特性有不同的反射损耗。通常，磁场反射损耗小于平面波反射损耗和电场反射损耗，即 因此，从可靠性考虑，计算总的屏蔽效能时，应以磁场反射损耗代入计算。 电磁屏蔽效能的解析法 场源至屏蔽体的距离： 平面波的反射损耗与距离无关，电场的反射损耗与距离的平方成反比，磁场的反射损耗与距离的平方成正比。 频率： 平面波的反射损耗与频率的一次方成反比，磁场的反射损耗与频率的一次方成正比，电场的反射损耗与频率的三次方成反比。 电磁屏蔽效能的解析法 、多次反射损耗 当屏蔽体较厚或频率较高，屏蔽体吸收损耗较大，一般在大于分贝时，多次反射损耗可忽略不计； 当屏蔽体较薄或频率较低，屏蔽体吸收损耗很小，一般在小于分贝时，多次反射损耗必须考虑。 孔缝电磁泄漏 机箱常见的孔缝： 接缝处的缝隙； 通风散热孔； 表头、数字显示窗； 电源开关、操作按键； 电源线、信号线安装孔。 非实心型屏蔽体效能的计算 对于非实心型屏蔽体是在电气上存在不连续的屏蔽体，称为非实心型屏蔽体。比如：打过孔的机箱、接过缝的导体等在物理实现上具有不连续边界的导体。 此时的屏蔽效能计算式为： 几种实用的屏蔽技术 双层屏蔽（实心型屏蔽） 如果要求屏蔽体有很高的屏蔽效能，采用双层屏蔽来实现。 在双层屏蔽中，两屏蔽体相互平行，场源在第一屏蔽层左侧，屏蔽区在第二屏蔽层右侧。 第 一 屏 蔽 层 第 二 屏 蔽 层 几种实用的屏蔽技术 薄膜屏蔽 在屏蔽设备外利用喷涂、真空沉积、粘帖等技术包覆一层导电薄膜。 设该导电薄膜的厚度为，电磁波在导电薄膜中传播时的波长为?，若?，则称这种屏蔽层为薄膜屏蔽。 当?时，屏蔽的效能与频率无关。 当?时，屏蔽效能将随频率升高而增加，因为当薄膜厚度增加时，屏蔽层的吸收损耗增加。 () 金属板缝隙的电磁泄漏 缝隙的等效阻抗为电阻性元件和电容性元件并联组成。 因存在电容性元件，接缝阻抗随频率减小，其屏蔽效能也随之减小。 设缝隙长度为无限长，缝隙宽度为，金属板的厚度为。根据波导理论，缝隙中的波阻抗大于自由空间的波阻抗，在缝隙入口处由于波阻抗的突变，导致反射损耗，同时在缝隙内传输时也产生传输损耗。 因此，缝隙的总损耗为反射损耗和传输损耗。 无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能 ()如果圆柱腔的厚度 平均半径 并且满足大半径、薄壁的条件 圆柱腔的静磁屏蔽效能()为 无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能 计算结果对于实际的工程应用具有指导意义 磁导率越高，屏蔽效能越大。 屏蔽效能随厚度从零开始增加。但是当厚度增加到某一值时，继续增加屏蔽体厚度，屏蔽效能的增加非常缓慢。 无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能 要减轻屏蔽体的重量，就必须采用薄厚度、较高磁导率的屏蔽体，才能保证静磁屏蔽效能。 在大半径、薄壁情况下： 壁厚度比平均半径对屏蔽效能的影响要大。 同一厚度时，屏蔽空间的扩大将使屏蔽效能降低。但是，屏蔽效能降低非常慢。 低频磁屏蔽效能的近似计算 采用高磁导率材料对低频磁场（指不超出音频范围的磁场）进行磁屏蔽。 依靠屏