硫掺杂氧化锌纳米线的制备及性质研究-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

◎ ◎ 硕士学位论文 MASTER’S THESIS 中文摘要 ZnO是一种重要的宽禁带隙(Eg=3．3eV)半导体材料，它的激子束缚能高达 60meV。因此，氧化锌材料在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。近年来在短波 长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的发展十分迅速。 目前，有关氧化锌研究部分主要集中在低维氧化锌纳米材料的制备、紫外激光发射 和可见发光机制等方面。 首先，本文中我们采用电场辅助电化学沉积法，利用阳极氧化铝模板(AAO)， 使用0．00166 mol／L的zn(N03)2，0．0125 moi／L NaN03水溶液制备了高度择优 取向的ZnO单晶纳米线。X射线衍射仪(XRD)、隧道电子显微镜(TEM)、选取电子 衍射(SADE)、X射线光电子能谱(XPS)对所得样品的结构、形貌以及化学组分 分析表明，所得纳米线是沿(101)择优取向的六方纤锌矿结构单晶氧化锌纳米线， 纳米线长约几十微米、直径约70--120rim。在PL谱中，除了有典型的ZnO纳米 线强紫外(UV)发光峰和较弱绿光发光峰外，还有在412----430nm处的新的强蓝光 发光峰和在464 nm处的蓝绿光发光峰。在617nm处还有一尖锐的、光强较强的红 光发光峰。 其次，我们采用相同的制备方法，使用0．00125 mol／L的Zn(N03)2，0．0125 mol／L Na2 S水溶液制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。XRD、TEM、 SADE对所得样品的结构、形貌分析表明，所得纳米线S掺杂前后纳米线直径没有 明显的变化，约70--120 nm，长度约几到几十个微米；掺杂前纳米线较光滑，S掺 杂后在一些局部区域ZnO纳米线的直径有了一定的增加。XPS对化学组成的分析进 一步证实掺杂硫原子的存在。用PL谱对S掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测 量发现，S掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质。除了有典型的ZnO纳米线 在378、392nm处的强紫外发光峰和在507、533 nm处的较弱绿光发光峰外，还有 在406、420、434nm处的新的强蓝光发光峰和在456 nm处的蓝绿光发光峰。与ZnO 纳米线光致发光谱相比，在617rim处尖锐的、光强较强的红光发光峰消失。 最后，研究了ZnO纳米线发光机制及硫掺杂对ZnO纳米线发光性质的影响。 对比发现，当S取代ZnO中O的位置，近带边发射(NBE)会产生的蓝移，且 ◎ ◎ 硕士学位论文 MASTER’S THESIS 光强增大。深能级发射强度稍有降低。近带边与深能级发射强度之比增大，说明带 边本征紫外发射并没有由于硫掺杂而被抑制。 关键词：硫掺杂ZnO纳米线；电化学沉积；阳极氧化铝模板(AAO)模板；荧光光 谱仪(PL) H 硕士学位论文MA5’1’ER’S 硕士学位论文 MA5’1’ER’S THESIS Abstract Zinc oxide(ZnO)is an interesting wide band gap 0．3eⅥsemiconductor material with a binding energy of 60 meV．It makes more attention to the ultraviolet optoelectronic devices．In recent years，it has developed rapidly，main due to its promising applications ill short-wave light-emitting devices，photodetectors，as well as antiradiation，high frequency and high·energy electronic devices．Up to now，ultraviolet lasing emission，the visible emission and properties of ultradetector of ZnO have became the main topics of much researchs． Zinc oxide(ZnO)nanowires have been successfully synthesized by an electric field-assisted electrochemical deposition iIl porous anodized aluminum oxide template at room temperature．The consistency of NaN03aqueous solution Was 0．0125M，and the consistency of