山杏的再生体系建立研究-果树生物技术专业论文.docxVIP

山杏的再生体系建立研究-果树生物技术专业论文.docx

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摘要 摘要 本研究以山杏茎尖为材料,研究了外源植物生长调节剂种类及其浓度组合、培养 基类型、暗培养时间、接种方式等因素对茎尖培养增殖效率、愈伤组织诱导率、再生 频率和生根的影响。通过试验初步建立了山杏的茎尖、叶片和下胚轴再生体系。研究 结果表明: (1)山杏茎尖在MS-1-6.BA 1.0 mg/L+IBA 0.2 mg/L上生长状况最好。当BA浓 度为2.0mg/L时,芽苗出现丛生现象;IBA浓度为0.3mg/L时,则芽苗基部出现大量 块状愈伤组织。在MS+6.BA 0.8 mg/LWIBA 0.2 mg/L培养基上增殖倍数和新梢率均 较高,分别为5.3和24.2%。在MS+IBA0.4mg/L培养基上15d后即可陆续诱导出 不定根,平均生根率达到86.7%,平均根数为3.8条,最多可形成5-6条。获得了山 杏茎尖再生植株。 (2)山杏叶片在暗培养10d后就可以产生愈伤组织,最初产生在叶片的叶柄处和 叶脉的切口处,经继代培养,于接种后40.60d左右开始陆续产生不定芽。在MS+ TDZ 2 mg/L+N从0.75mg/L的再生培养基中添加AgN03浓度为4.0 mg/L时的愈伤 组织诱导率最高为100%,再生率为11.1%。山杏叶片正面接触培养对叶片再生效果 较好,愈伤组织诱导率比以叶片背面接触培养基高出25.1%。 (3)经15d的暗培养,山杏下胚轴切段在附加TDZ 2.0 mg/L、NAA 0.5 mg/L的 改良MS培养基(1/2NH4N03)上愈伤组织诱导率(100%)和再生频率(16.6%)最 高,含6-BA 1.0 mg/L和NAA 0.5 mg/L的培养基上也获得了相对较高的愈伤组织诱 导率(97.2%)和再生频率(13.8%)。细胞分裂素用TDZ效果优于6-BA。基本培养 基的效果依次为改良MSQLWPM。 关键词:山杏;茎尖;叶片;下胚轴;再生 Studies Studies on Establishment of Regeneration System in Armeniaca sibirica皿.)Lain. Major.Pomology Master Graduate:Liu Xiaolei Supervisor:GE Huibo Zhang Xueying AbstI·act From the study of plant growth regulators and their combination,base media, darkening treatment and other factors which affect on the stem subculture and proliferation, callus inducing,regenerating and rooting,we developed a regeneration system of stem, leaf and hypocotyls which from Armeniaca sibirica(L.)Lain. (1)Stem ofArmeniaca sibirica(L.)Lam grown best on MS+6一BA 1.0 mg/L+IBA 0.2 mg /L.Stem clusered with higher 6-BA which Was 2.0mg/L and grown much callus at the bottom of the plants with higer IBA which Was 0.3mg/L.Proliferation multiples and 乏0.5em shoot rates were the highest when the adventitious shoots were cultured on MS+6.BA 0.8 mg/L+IBA 0.2Ⅱ曙/L.Aflerl 5 days roots grown in succession on MS IBA 0.4mg/L.The rooting rate Was 86.7%、average root number Was 3.8 and the largest root number was 5-6.Finally,regeneration plants from stem of Armeniaca sibirica(L)Lain have been got. (2)The callus were found at the petiole and vein of leaves after 10d in dark,and adventitious shoots were found after 40-60d exposure

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