快速瞬态响应无片外电容LDO研究与设计-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

国内图书分类号：TN386 国内图书分类号：TN386 密级：公开 国际图书分类号：621．38 西南交通大学四南父迥大罕 研究生学位论文 !迭速匿查旦包应玉韪皇睦电容L旦Q 班究生遮让 年 级 三雯二三级 姓 名 翅玉松 申请学位级别 王堂亟± 专 业邀电王堂曼固签电王堂 指导教师 迢全速数拯 二零一五年三月一令一丑，牛二月 万方数据 Classified Classified Index：TN3 86 U．D．C：62 1．38 S outhwest Jiaotong University Master Degree Thesis CAPACITOR—LES S LDO WITH FAST TRANSIENT RESEARCH AND DESING Grade：2012 Candidate：Hu yusong Academic Degree Applied for：Master Speciality：MicroelectronicsSolid—State Electronics Supervisor：Prof．Feng Quanyuan J．201 5 万方数据 西南交通大学学位论文版权使用授权书 西南交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并 向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授 权西南交通大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用 影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1．保密口，在 年解密后适用本授权书； 2．不保密√，使用本授权书。 (请在以上方框内打“4”) 学位论文作者签名：胡玉极指导老师签名： 乡孑铘 日期：矽f箩．s·f多 日期： 沙f孓、s．／芗 万方数据 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明 本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 本文的主要目的是通过研究低压差线性稳压器(LD0)的特性和设计流程，采用 Hspice工具对LDO进行仿真，研究无片外电容低压差线性稳压器的稳定的提高。 所做的主要工作有： 1、研究了低压差线性稳压器(LDO)的工作原理以及发展趋势 2、研究了无片外电容LDO的主要设计难点。 3、设计了一种无片外电容LDO的架构，其瞬态响应速度极快，且增益高、带宽 宽、温度特性好，并对其各项重要参数进行仿真验证。 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是在导师指导下独立进行研究工作所得的成 果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰 写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中作了明确的说明。 本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名：飙玉松 日期：矽f f．歹、f f 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第l页 摘要 伴随着智能终端设备，如手机、手环、手表、电视以及日趋火爆的智能家居等迅 速发展，各类电子产品已经融入人们不可或缺的日常生活中。电源管理芯片作为电子 产品的核心成分，不但使得产品体积减小、成本降低，功耗也在不停的降低，迎合了 如今低碳环保的国际形势。 本文设计了一款无片外电容LDO，主要提升其瞬态特性与稳定性，给出了详细的 设计流程，分别对误差放大器、调整管、瞬态加强电路进行优化与设计。这些优化设 计有效提高了无片外电容的稳定性，降低了芯片失效与逻辑混乱的风险。 研究了可以提高瞬态响应的方法。通过分析几类误差放大器结构特点，选择合适 结构对参数进行优化与设计，通过提高增益与摆率来加强瞬态响应。论文研究了功率 管类型，并提出本文设计方案，通过理论推导，对功率管参数进行优化。 论文研究了无片外电容LDO的瞬态特性。本文首先分析传统LDO片外大电容作 用，为无片外电容LDO研究做理论基础，重点研究了无片外电容LDO瞬态特性。针 对影响瞬态特性的重要因素，提出一种无片外电容LDO瞬态加强电路结构。该方法在 负载变化时，会检测到负载变化情况以电压形式输出，再通过RC微分电路将检测电 压信号变成尖峰脉冲，通过瞬间导通MOS管转换为电流信号，最后叠加到误差放大器 的尾电流上，通过加强误差放大器的摆率来提高功率管充放电速度，减小过冲电压。 论文研究了LDO的稳定性。通过对本文的结构进行小信号分析，推导零点与极点 公式，在系统的第一个主极点后面采用RC电路进行左半平面零点补偿，增加相位裕 度提高稳定性。 最后，本文基于0．5pmBICMOS工艺进行设计，通过Hspice平台仿真验证，结果 表明，负载电流经过19s从lmA～lOOmA变化