刻蚀工艺培训教材.ppt

刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理 此为生产mono125-150硅片时图片 硅片完全悬空 硅片尾部吸附刻蚀液 刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理 此为生产mono125-150硅片时图片 刻蚀液完全吸附 刻蚀槽前后硅片状态比较 此为生产mono125-150硅片时图片 硅片刚进入刻蚀槽 硅片刻蚀后，边缘水印为反应生成的水 Rinse 1 一号洗槽采用循环水喷淋，两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液。 上水刀 下水刀 风刀 Alkaline rinse 碱洗槽采用KOH溶液喷淋，水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液。 上水刀 上水刀 风刀 碱槽溶液流向图（槽截面） 泵 过滤器 硅片运行平面 碱液流动方向 冷却水流动方向 槽壁 喷淋头 槽内液面 高于溢流口的溶液从溢流管排掉 F Rinse 2 二号洗槽采用循环水喷淋，水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液 。 上水刀 下水刀 风刀 HF bath 氢氟酸槽采用HF溶液喷淋浸泡，水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液． 氢氟酸循环喷淋使反应充分 HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里 氢氟酸槽溶液流向图（槽截面） 过滤器 泵 硅片运行平面 氢氟酸液流动方向 内槽液面 外槽液面 F 喷淋头 Rinse 3 三号洗槽采用循环水喷淋 循环水冲洗 DI-Water喷雾器最后冲洗，水落进槽底，重复利用。 Dryer 2 二号干燥槽采用压缩空气吹干，上下各两道风刀使用马达带动来回拉动，吹干硅片。 吹干风刀 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅变为P形硅，但所产生的P形硅电势不强）； 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）； 3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大） 。 1、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 2、传动滚轴易变形：（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 3、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点 * 检验方法 冷热探针法 冷热探针法测导电型号 * 检验原理 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 此电势差可以用简单的微伏表测量。 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的点烙铁。 * 检验操作及判断 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为p，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 谢 谢 刻 蚀 培 训 技术质量部 生产线工艺流程 磷扩散形成pn结 刻蚀 扩散前酸洗 制绒 烧结 丝网印刷及烘干 镀减反膜 分类 包装 刻蚀的种类 1 干法刻蚀---等离子体刻蚀 2 湿法刻蚀---化学腐蚀 * 什么是等离子体？ 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。 当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。这种状态的物质叫等离子体。它可以称为物质的第四态。 * 等离子体的应用 * 等离子体的产生 * 等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 * 等离子体刻蚀反应 * 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，在中CF4掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 * 等离子体刻蚀工艺 　在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 什么是湿法刻蚀 化学腐蚀 在半导体生产中，半导体材料或金属等材料与腐蚀液发生化学反应，从而去除材料表面的损伤层或在材料表面获得一定形状的图形过程。