电离辐射探测_工程硕士课程-半导体探测器.ppt

核辐射物理及探测学第六章 半导体探测器(semiconductor detectors);why semiconductor detector?;半导体探测器（60年代初期发展起来）的特点：;关于能带（知识介绍）;满带（价带）、禁带、空带（导带）;第六章 半导体探测器;§6.1 半导体基本性质;一．本征半导体与杂质半导体;2. 杂质半导体;3. 施主杂质和施主能级;4. 受主杂质和受主能级;二．半导体作为探测介质的物理性能;3. 平均电离能;半导体平均电离能的特点：;关于FANO因子;当E ~104?5V/cm时：达到饱和漂移速度~107cm/s.;空穴在Ge中的漂移速度;半导体探测器需要载流子的漂移长度大于灵敏体积的长度。;掺杂会大大降低半导体材料的电阻率； 降低半导体材料温度可以提高电阻率。;半导体探测器材料应该具有的特点：;§6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半???体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器;§6.2 均匀型半导体探测器;一. 带电粒子与半导体晶体的相互作用;二. 均匀型半导体探测器的工作原理及性能;早期使用金刚石（绝缘晶体） 电阻率高 载流子寿命很短(10-8s)： 载流子来不及被收集 “极化效应”：形成“空间电荷”，导致“反向电场”，随着入射粒子数目的增多，计数器无法工作 1/1000的金刚石可用。;半导体具有长的载流子寿命(ms)，能够避免上述问题，但是？;解决办法：;§6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器;§6.3 P-N结型半导体探测器;一．工作原理;少数能量较高的多数载流子（电子or空穴）会穿过势垒区扩散到对方区域，形成正向电流（密度） If 。;2. 外加电场下的P-N结;3. 势垒区的电场分布;4. 势垒区的宽度;5. 结区电容;Si;6. P-N结的击穿电压;二．P-N结型半导体探测器的类型;2. 面垒型探测器;3. 离子注入（Ion Implanted Layers）;三．输出信号;2. 输出电流脉冲与电荷收集时间;认为电子漂移到x=0.99W处就把电子电荷全部收集，则电子的收集时间为，;3. 输出电压幅度;采用电荷灵敏前置放大器;等效输出回路RC ：;输出电压脉冲上升前沿随电子空穴产生位置变化。 会引起定时误差。;四．P-N结型半导体探测器的性能与应用;(2) 探测器和电子学的噪声;电荷灵敏前置放大器的噪声参数： 零电容噪声(keV)； 噪声斜率(keV/pF)。;(3) 窗厚对能量分辨率的影响;2. 分辨时间与时间分辨本领;3. 辐照寿命;4. P-N结型半导体探测器的应用;2.) dE/dX探测器;P-N结型探测器的不足;§6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器;§6.4 P-I-N型半导体探测器;一．锂的漂移特性及P-I-N结的形成;2. P-I-N结的形成;P;锂离子在外加电场作用下向右漂移。;二．锂漂移探测器的工作原理;2. 工作条件;§6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器;§6.5 高纯锗HPGe半导体探测器;一. why HPGe detector？;二．工作原理;P-N结的构成;空间电荷分布、电场分布及电位分布;高纯锗探测器的特点;§6.1 半导???基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测器 §6.4 P-I-N型半导体探测器 §6.5 高纯锗HPGe半导体探测器 §6.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性能与应用 §6.7 其它半导体探测器;§6.6 高纯锗和锂漂移探测器的性能与应用;;2. 输出信号;3. 能量分辨率;4. 对γ的探测效率;5. 峰康比;6. 能量线性;7. 时间特性;各种探测器测量分辨率比较;应用;?谱仪的应用：活化分析；核物理研究等。;2) Si(Li)探测器;§6.1 半导体基本性质 §6.2 均匀型半导体探测器 §6.3 P-N结型半导体探测