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基于3300V 牵引级IGBT的新一代高压变频器 第六图书馆 IGBT(绝缘栅双极晶体管)集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制 电路简单、耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大 电流、高速、低饱和压降、高可靠技术,取得巨大的进展。依据电压等级划分,当前国内主要应用的IGBT分为600V(1985年)、 1200V(1990年)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高、电压控 制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发 IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术,取得巨大的进展。依据电压等级划分,当前国内主要应用的IGBT分 为600V(1985年)、1200V(1990年)、IGBT 高压变频器 功率MOSFET 绝缘栅双极晶体管 牵引 电压控制 半导体 厂商 低饱和压降变频器世界无北京康得环保科技股份有限公司2007第六图书馆