CMOS抗总剂量辐照原理及先进加固器件.docVIP

PAGE 2 微细加工与MEMS技术 PAGE 3 CMOS抗总剂量辐照原理及先进加固器件 CMOS抗总剂量辐照原理及先进加固器件 【摘要】随着半导体产业的进步以及空间技术和核工程的快速发展，越老越多的CMOS集成电路被应用于辐照环境当中。因此CMOS电路面临着更加严峻的挑战。为了保证CMOS集成电路在严苛条件下的性能表现以及可靠性，抗辐照加固技术应运而生。本文从抗辐照加固的基本原理出发，分析了辐照失效的机理以及几种不同的失效模式，并简单介绍了几种不同的抗辐照加固结构。 关 键 词 CMOS电路; 总剂量辐照加固; 1 辐照失效机理 集成电路在辐照环境下的机理大致有以下几种形式： 单粒子效应 总剂量效应 中子辐射效应 瞬时辐射效应 剂量增强效应 低计量率效应。 其中，导致器件失效的影响较大的辐射效应为总剂量效应（TID，Total Ionizing Dose）和单粒子效应（SEE，Single Event Effects）[1]。下文将具体介绍这两种辐照效应的产生方式及其对电路单元的影响。 1.1 总剂量效应（TID） 总剂量效应是当集成电路元器件长期处于辐射环境中时，多次粒子入射将会造成正电荷积累，从而引起器件性能发生退化甚至失效。当航天器和武器型号中所使用的电子元器件工作在电离总剂量辐射环境中时，会遭遇高能粒子及光子的轰击，其工作参数及使用寿