试验一热电性质与四点探针方法.pptVIP

實驗步驟：熱電效應 右邊金屬片：加熱端；左邊金屬片：冷卻端。Sample放置在上面，取適當間距。 將三用電表兩探針座連至sample兩端。 －電：N-Type ＋電：P-Type Thermal couple的線, 不可折 sample 右邊金屬板溫度 實驗步驟：四點探針 使用游標尺量測晶片厚度 使探針與晶片緊密接觸 接線至V-I量測系統 改變I，求V 求出電阻率ρ 1.電阻率量測儀器 2.放置晶片 3.將四點探針對準晶片 4.壓下後數據會顯示出來 參考照片 斷裂面 111 * 實驗一 熱電性質與四點探針方法 半導體專題實驗 Outline 實驗原理 晶片清洗方法與步驟 由晶片形狀判別雜質型別和方向性 熱電效應 四點探針的理論與量測 四點探針公式推導 實驗步驟 實驗原理 晶片清洗的方法與步驟 在晶片製造上，晶片清冼是每一個製程步驟所須之必要程序，其目的在使晶片表面之污染物儘可能的降低，使得元件獲得良好而穩定之特性以及製程良好之再現性。 污染物的來源與性質 分子性 如蠟、脂、油此類污染物易使晶片表面導致斥水性，而 將離子性污染物覆蓋住，不易清洗，使產品受到損失。 離子性 晶片在氫氟酸(HF 水溶液)或其他蝕刻液浸蝕過甚至於去 離子水中浸洗過而附著於上面的。 原子性 由蝕刻酸液造成，過渡金屬如金鉑銅等與矽原子反應還 原而鍍於晶片表面，影響半導體之各項性質。 粒狀非均勻態 矽顆粒?碎片、無機顆粒、纖維屑等。 清洗方法 蝕刻法 乾式蝕刻和濕式蝕刻 溶解法 利用適當溶劑溶解附於晶片表面之溶質(雜質)。此法之應用以 極性漸近為原則。從非極性溶劑浸洗。再改浸極性較強之溶 劑，最後以去離子水浸洗 機械法 以機械方式清洗晶片表面之污染物，最常用的機械有超音波 振盪器、刷洗機。其最主要之功能是清洗附於晶片表面之粒 狀污染物 化學反應法 利用化學反應方法以達到清洗目的，其原則有二： (A)雜質與反應劑反應其產物為水溶性，由於水溶性經去 離子水浸冼後達到清洗之目的。 (B)雜質與反應劑反應其產物為氣體，由於氣體之產生可 揮發，達到清洗之效果。 業界清洗步驟(RCA Clean) 步驟 chemical 比例 浸泡時間 溫度 LIFE TIME NOTE 1 H2SO4：H2O2 （SPM） 3：1 10~20min 75~85℃ 2~3次 去金屬雜質有機物及光阻 2 DI water 5min 3 HF：H2O （DHF） 1：100 不沾水 去native oxide及金屬雜質 4 DI water 5min 5 NH4OH：H2O2：H2O （APM,SC-1, RCA-1） 1：4：20 10~20min 75~85℃ 1次 去微粒及有機物污染 步驟 chemical 比例 浸泡時間 溫度 LIFE TIME NOTE 6 DI water 5min 7 HCl：H2O2：H2O （HPM, SC-2, RCA-2） 1：1：6 10~20min 75~85℃ 1次 去無機金屬離子 8 DI water 5min 9 HF：H2（DHF） 1：100 不沾水 去native oxide 10 DI water 5min 11 N2 DRY or Spin SPM:sulfuric acid and hydrogen peroxide mixture APM:Ammonium hydroxide-hydrogen Peroxide Mixture HPM: hydrogen Peroxide-water Mixture SC: Standard Clean RCA清洗是在1965年，由美國RCA公司(Radio Corporation of America)的 Werner Kern首度提出，當時只有五個步驟: