晶体三极管的结构、作用和特性.pptVIP

2.1晶体三极管的结构 一、结构与分类 1、外形 观察外形特点： 2、结构 三极管的核心是两个互相联系的PN结。 按组合方式不同，分为PNP和NPN两类 内部结构 三区{ 三极{ 两个结{ 发射区 基区 集电区 发射极 基极 集电极 发射结 集电结 想一想：三极管的集电极和发射极能互换吗？ 3、分类 按管芯半导体材料： 硅管 锗管 按内部结构： NPN PNP 按工作频率： 工作频率大于3MHz 高频管 工作频率低于3MHz 低频管 按功率： 大功率管（大于1W）、小功率管（小于1W） 按用途：普通放大管、开关三极管 二、三极管的电流放大作用 1、三极管的工作电压 要使三极管能正常放大信号，必须： 给发射结加正向电压，给集电结加反向电压 基极偏置电阻，为发射结提供正向偏压 Rb 负载电阻，集电极供电 N P N Rc Vcc NPN PNP Rb Rc Vcc Rb Rc Vcc 2、三极管的电流放大作用 仿真实验，读出IB、IC、IE IB 0mA 0.02mA 0.04mA 0.06mA IC 0mA 2mA 4mA 6mA IE 0mA 2.02mA 4.04mA 6.06mA 分析表格中数据，你能得出哪些结论？ （1）三个电极的电流分配关系 IE=IB+IC IC IE （2）三极管具有电流放大作用：直流电流放大系数 引入 在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点. 三极管的特性曲线 三、 三极管共发射极输入特性 1、三极管的输入特性 三极管的输入电流IB与输入电压VBE之间的关系 2．输入特性曲线 当VBE大于发射结死区电压时，（硅管约0.5V,锗管约0.2V）IB开始导通。VBE升高，IB就增大。导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。 三极管的输出特性曲线 定义： 每一个固定的IB值，三极管的输出电流IC和输出电压VCE之间的对应关系。 2．三种状态——三个区 （1）截止区： ①IB?=0，三极管截止，IB=0以下的区域。 ②电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO叫穿透电流。IB ③电压条件：三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止状态。 想一想：在截止状态下，IB能控制IC吗？NPN管VB=VE,和PNP管的VE=VB,三极管的等效电阻RCE是大还是小？相当于C、E断开吗? 截止状态 （2）饱和区： ①VCE较小的区域。VCEVBE ②电流特点：IC不随IB的增大而变化。IB不能控制IC，IC VCC/RC ③饱和时的VCE值为饱和压降。VCES：硅管为0.3 V，锗管为0.1 V .电压条件:发射结、集电结都正偏，处于饱和 想一想：在饱和状态下，IB能控制IC吗？NPN管和PNP管的VE和VB的关系？ 三极管的等效电阻RCE是大还是小？相当于C、E怎么样? 饱和状态  ①电流特点：IC受IB控制，ΔIC=βΔIB，具有电流放大作用。 ②恒流特性：IB一定，IC不随VCB变化，IC恒定。 ③电压条件：发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。 （3）放大区： ？？？想一想：在放大状态下，IB能控制IC吗？ NPN管和PNP管的VE和VB的关系？ 三极管的等效电阻RCE有什么特点？IB控制RCE的吗?  总结：三极管工作状态由偏置情况决定。 管型 放大状态 饱 和状态 放 大状态 电压条件 发射结正偏 集电结反偏 发射结正偏或零 偏 ，集电结反偏 发射结正偏， 集电结正偏 电位条件 NPN VC＞VB＞VE VB≤VE VB＞VE，VB＞Vc PNP VC＜VB＜VE VB≥VE VB＜VE，VB＜VC 练习：1．判别三极管的工作状态 ，如果是PNP管呢 指导： ????1．中间电位值的为基极。 2．电位值接近基极的为发射极。电位值与基极相差较大的是集电极。 3．VBE约0.7V或接近，为NPN VBE约0.3V或接近，为PNP） 2、判断三极管的放大状态，各极名称、管型。 小结 三极管工作状态由偏置情况决定。 放 大 截 止 饱 和 发射结正偏 发射结反偏 发射结正偏 集电结反偏 或零 偏 集电结反偏 集电结正偏 三种状态的特点 截止状态：IB=0，相当于开关断开，VCE=VG； 放大状态：IC=βIB或ΔIC=βΔIB，I