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半导体材料（Semiconductor ） 功能材料之一 半导体材料和器件是 计算机技术、通信技术和自动控制技术基础 发展经历： 第一代：硅（Si）、锗（Ge ） 第二代：III-V族化合物（GaAs, InP等） 第三代宽带隙半导体： II-VI族化合物等单晶(CdSe，ZnO等) ，IV-IV族化合物(SiC等) 主要用途： • p-n 结和晶体管 • 集成电路：采用氧化、光刻、扩散掺杂等工艺把晶体管、电阻、电 容等元件集成于一块半导体芯片上，封装成多脚的器件 • 半导体激光器 • 太阳能电池（光生伏特特性） 半导体历史 早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不 绝。 1938年：Robert Pohl 和 Rudolf Hilsch 用溴化钾晶体与钨丝做成了第 一个类似真空管的晶体管（操作频率只有1 Hz）。 1947年12 月23 日－晶体管诞生日，美国贝尔实验室 Bardeen 和 Brattain 使用点接触晶体管做出第一个语音放大器。 1952年4 月，西方电器、雷神(Raytheon) 、美国无线电(RCA)和通用 (GE)等公司，生产出商用的双极型晶体管（三极管）。 1954年5月，美国德州仪器公司(Texas Instruments)成功开发出第一个 由Si 做成的晶体管。 1957年底，各界已制造出六百多种晶体管。开始应用到无线电、收 音机、电子计算器。 1958年，快捷半导体公司发展出平面工艺技术。 1960年，贝尔实验室实现了外延(epitaxy)技术，具备了成批次生产的 能力。 约翰·巴丁（John Bardeen ) (1908.5.23—1991.1.30) 美国著名物理学家； 1908年出生于美国威斯康星州的麦迪逊； 1936年获得普林斯顿大学博士学位； 1938－1941年，担任明尼苏达大学助理教授； 1941－1945年，在华盛顿海军军械实验室工作； 1945－1951年，在贝尔电话公司实验研究所； 1951年，到伊利诺伊大学香槟分校任教； 1947年、1972 年获得诺贝尔物理学奖。 主要科学成就： 1947年和同事布拉顿发明了半导体三极管，因此获得 1956 年诺贝尔物理 学奖；1957年，巴丁和库珀、施里弗共同创立了BCS 理论，对超导电性做出 了合理的解释，他们三人也因此获得1972 年诺贝尔物理学奖。。 §1 半导体材料的基本特性 电阻率 L S RSρ L / σ 1 / ρ 导体：ρ 10-5Ωcm 绝缘体：ρ1010Ωcm 半导体电阻率介于二者之间：纯硅（Si）的电阻率约为105Ω·cm 半导体材料的电阻率对下列条件非常敏感 杂质含量 环境温度 光照 电场 磁场 压力 为什么半导体材料有这些特殊的导电性能？ 半导体材料这些独特的导电和光电特性是由其特殊的电子能带结构 决定的。 金属、半导体、绝缘体的能带 无能隙 导带 导带 禁带大的能隙5eV 导带 禁带小能隙~1eV 价带 价带 价带 金属 半导体 绝缘体 金属中存在大量电子，而且电子易于挣脱原子实的束缚，能带彼此交错并 重叠，以至于没有带隙（禁带），形成连续的能级分布。 半导体或绝缘体由于外层电子不易电离，电子数较少，形成能带彼此不交 错不重叠，出现带