空位缺陷对cds电子结构跟光学性质的影响资料精.pdfVIP

第 30 卷 　第 5 期 光 　学 　学 　报 Vol . 30 , No . 5 20 10 年 5 月 AC TA OP TICA SIN ICA May , 20 10 　　文章编号 :(20 10) 空位缺陷对 C d S 电子结构和光学性质的影响 1 1 2 李春霞 　党随虎 　韩培德 ( 1 长江师范学院物理学与电子工程学院 , 重庆 408003 ; 2 太原理工大学材料科学与工程学院 , 山西 太原 030024) ( ) 摘要 　采用基于密度泛函理论 D F T 第一性原理的平面波超软赝势方法 ,对空位缺陷体系的几何结构进行优化计 算 ,发现空位引起周围原子的弛豫 ,晶格结构发生畸变 。在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿结构 CdS 体系电子 ( ) 结构 能带结构 、电子态密度 的影响 ,结果表明 , S 空位使得能带变窄 ,而 Cd 空位使带隙变宽 ,但二者仍为直接带 隙半导体 。对光学性质的研究发现 , 由于空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化 ,使得空位缺陷体系光学性 质的变化主要集中在低能量区。 关键词 　光学材料 ; S 和 Cd 空位 ; 闪锌矿结构 ;CdS 晶体 ; 电子结构 ;第一性原理 中图分类号 　O64 1 ;O649 　　　文献标识码 　A 　　　d oi : 10 . 3788/ AOS20 103005 . 1406 V a c a n ci e s Ef f ect s o n El ect r o n i c S t r u ct u r e a n d Op t i c a l P r op e r t i e s of Cd S 1 1 2 L i Chunxia 　Dan g Suihu 　Han Peide 1 Col lege of Physics a n d Elect r on ic En gi n eer i n g , Ya n gt ze N or m a l U n i ver si t y , Chon gqi n g 408003 , Chi n a 2 Col lege of M a t er i al s Scie n ce a n d En gi n eer i n g , Ta i y u a n U n i ver si t y of Tech n ol ogy , Ta i y u a n , S h a n xi 030024 , Ch i n a A bs t r a ct 　Geomet rical st r uct ur e of CdS wit h vacancy w as op timized by using densit y f unctional t heor y (D F T) based on firstp rincip le ult r asoft p seudop ot ential met hod . Op timized r esult s show ed t hat t he vacancy r esult ed in local lat tice dist or tion