电感元件设计规范要点.docVIP

TOC \o 1-3 \h \z 1 电磁学基本概念及公式 2 1.1 基本概念 2 1.2 基本公式 2 2 磁元件的基本特性 3 2.1 磁滞效应（Hysteresis Effect）： 3 2.2 霍尔效应（Hall Effect）： 3 2.3 临近效应（Proximity Effect） 3 2.4 磁材料的饱和 4 2.5 磁芯损耗 4 3 电感磁芯的分类及特点 5 3.1 磁芯材料的分类及其特点 5 3.1.1 铁氧体（Ferrite） 5 3.1.2 硅钢片（Silicon Steel） 6 3.1.3 铁镍合金（又称坡莫合金或MPP） 6 3.1.4 铁粉芯（Iron Powder） 6 3.1.5 铁硅铝粉芯（又称Sendust或Kool Mu） 6 3.2 磁芯的外形分类： 6 3.3 电感的结构组成 7 3.3.1 环型电感 7 3.3.2 EE型电感/变压器 8 3.4 电感的主要类型： 8 3.5 电感磁芯主要参数说明 9 4 电感在UPS中的应用 9 5 电感设计的原则 12 5.1 原则一：电感不饱和（感值下降不超出合理范围） 12 5.2 原则二：电感损耗导致的温升在允许的范围内（考虑使用寿命） 15 5.3 原则三：电感的工艺要求可以达成 17 6 电感设计规范表 18 目的 磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点，究其原因是磁性元件属非标准件，其设计时需考虑的设计参数众多，工艺问题也较为突出，分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元件，优化设计并减少设计中的错误，特制定此规范。 电磁学基本概念及公式 基本概念 1） 磁通：穿过磁路的磁力线的总数，以Ф表示，单位韦伯（Wb）。 2） 磁通密度（磁感应强度）：垂直于磁力线的方向上单位面积的磁通量，以B表示，单位高斯（Gauss）或特斯拉（T），1 T=104 Gauss。 3） 磁场强度：单位磁极在磁场中的磁力，以H表示，单位安[培]每米（A/m）或奥斯特（Oe），1 Oe=103/4π A/m。 4） 磁导率：磁通密度与磁场强度之比，以μ表示，实际使用中通常指相对于真空的磁导率，真空中的磁导率μ0 =4π×10-7 H/m。 5） 磁体：磁导率远大于μ0 的物质，如铁，镍，钴及其合金或氧化物等。 6） 居里温度点：磁体在温度升高时，其磁导率下降，当温度高到某一点时，磁性基本消失，此温度称为居里温度点。 7） 磁势：建立磁通所需之外力，以F表示。 8） 自感：磁通变化率与电流变化率之比称自感，以L表示。 9） 互感：由于A线圈电流变化而引起B线圈磁通变化的现象，B线圈的磁通变化率与A线圈的电流变化率之比称为A线圈对B线圈的互感，以M表示。 基本公式 图2.1 环形铁心的铁窗面积与磁路长度示意图 图2.1 环形铁心的铁窗面积与磁路长度示意图 法拉第电磁感应定律： 穿过闭合回路的磁通发生变化，回路中会产生感应电流。如果回路不闭合，无感应电流，但感应电动势依然存在，感应电动势的大小： 磁场中的磁体存储的能量为： 电学与磁学的对偶关系表： R R 磁阻 R 电阻 F＝ Φ R 洛伦兹定律 ε ＝I R 欧姆定律 H 磁场强度 E 电场强度 B 磁通密度 J 电流密度 μ 磁导率 γ 电阻率 Φ 磁通 I 电流 F 磁通势 ε 电动势 磁路 电路 表2.1 磁滞曲线图 表2.1 磁滞曲线图 磁元件的基本特性 磁滞效应（Hysteresis Effect）： 磁化过程中，磁通密度B的变化较磁化力F的变化迟缓的现象称为磁滞。 图3.1 磁滞曲线图 图3.1 磁滞曲线图 霍尔效应（Hall Effect）： 流过电流的导体穿过磁场时，在导体两端产生感应电势的现象，称为霍尔效应。 图3.2 霍尔效应示意图 图3.2 霍尔效应示意图 临近效应（Proximity Effect） 流过电流的导线会产生磁场，相邻的导线在相互的磁场（也可以是外加磁场）作用下会产生电流挤到导体一边的现象成为临近效应。相邻层的导线若电流方向相同，电流会往外侧挤，相邻层的导线若电流方向相反，电流会往外内侧挤，如下图所示。临近效应会导致导体的利用率下降，铜损增加（与趋肤效应类似）。 图3.3 邻近效应示意图 图3.3 邻近效应示意图 磁材料的饱和 随着磁性材料中的磁场强度增加，其磁通密度也增大，但当磁场强度大到一定程度时，其磁通不再增加(见图3.1磁滞回线的Bs)，这称为磁饱和。 磁芯损耗 磁芯损耗主要由磁滞损耗和涡流损耗组成。 单位体积内的磁滞损耗正比与磁场交变的频率f 和磁滞回线的面积。 涡流损耗是