南理工模电课件3-1.pptVIP

主要内容链接 3.1 半导体BJT 1. BJT的结构简介 2. BJT中的电流分配 3. BJT在放大电路中的连接方式 4. BJT的特性曲线 5. BJT输出特性曲线的三个工作区 6. BJT的主要参数 第三章 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体BJT BJT(Bipolar Junction Transistor)为双极结型晶体管(三极管)，是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件。按照结构可分为NPN 和PNP型。 1. BJT的结构简介 (1) NPN型 (2) PNP型 (3) BJT的外形图 2. BJT中的电流分配 (a) 发射区向基区注入电子 发射结外加正向电压，以扩散电流为主： (b) 电子在基区中的扩散与复合 扩散到基区的电子有两个去向： (c) 集电区收集电子 集电结外加反向电压，以漂移电流为主： 基区自身的电子向集电区漂移 集电区的空穴向基区漂移 两者形成反向饱和电流ICBO。 BJT中的电流分配关系 (2) 电流控制作用及其实现条件 (b) BJT实现电流控制和放大的条件 3. BJT在放大电路中的连接方式 (1) 共发射极连接方式 (2) 共集电极连接方式 (3) 共基极连接方式 4. BJT的特性曲线 BJT的特性曲线是指端电流与端电压之间的关系曲线，根据输入端和输出端分为输入特性曲线和输出特性曲线。 (1) 共射极电路的特性曲线 输入特性 输入特性是指当vCE为某一常数， iB 与vBE之间的关系曲线。 NPN型硅BJT共射极接法输入特性曲线 vCE=0：输入特性曲线和普通二极管的伏安特性曲线相似 原因：此时三极管相当于两个二极管并联 NPN型硅BJT共射极接法输入特性曲线 vCE≥1V：特性曲线向右移动 ∴vCB= vCE - vBE0 此时集电结已进入反偏状态，开始收集电子，电子在基区的复合减少， 对同样的vBE，iB ?、iC? NPN型硅BJT共射极接法输入特性曲线 随着vCE增加，曲线移动不大 主要原因：vCE≥1V后，c区已经将来自e区的电子绝大部分吸引走。 输出特性 NPN型硅BJT共射极接法输出特性曲线 vCE较小，集电结没有反偏或反偏电压较小，这时集电区收集电子的能力较弱，只要vCE稍稍增加，c区收集电子的能力将明显上升，因此iC上升较大 NPN型硅BJT共射极接法输出特性曲线 当集电结反偏电压较大时，扩散到基区的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也不会明显的增加 此时， iC和iB 电流满足固定的比例关系， iB 电流增加 ，iC电流等比例上升 基区宽度调制效应 (2) 共基极电路的特性曲线 5. BJT输出特性曲线的三个工作区(教材91页) (1) 饱和区 (2) 截止区 (3) 放大区 6. BJT的主要参数 共基极连接方式 (2) 极间反向电流 集电极－发射极反向饱和电流ICEO 集电极－发射极反向饱和电流ICEO (3) 极限参数 BJT安全工作区示意图 例 题 1 测得某放大电路中一正常工作的BJT三个电极A、B、C的对地电位分别为－9V、－6V、－6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极、哪个是发射极、哪个是集电极，并说明此BJT是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型。(140页，习题3.1.1) C为基极 B为发射极 该BJT为锗管，PNP型 A为集电极 例 题 2 测量三极管三个电极对地电位如下图所示，试判断三极管的工作状态。 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，即IB和IC增加，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于?值下降多少，会随三极管的型号以及生产厂家而有 所差别。 集电极最大允许功率损耗PCM 因发射结正偏，呈低阻，所以三极管功耗主要集中在集电结上。 作 业 集电极－基极反向饱和电流ICBO ICBO表示发射极开路，c、b极间外加反向电压时的反向电流。它和单个PN结的反向电流是一样的，大小为?A量级。 ICEO表示基极开路，c、e极间外加反向电压时的集电极电流。大小为?A量级 ICEO从集电区穿过基区流至发射区，所以又叫穿透电流。该电流和单纯的PN结反向电流不同。 集电结反偏，引起反向漂移电流ICBO，相当于集电区对基区注入正电荷，其大小等于ICBO； 发射结正偏，发射区电子扩散到基区，其大小为IE＝ICEO；这些电子中的一部分和来自集电区的 正电荷中