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光 电 检 测 技 术
实验指导书
长春工业大学人文信息学院
电子信息系
2011-09
目 录
TOC \o 1-3 \h \z \u 实验一 发光二极管(光源)的照度标定实验 2
实验二 光敏二极管的特性实验 5
实验三 光敏三极管特性实验 7
实验一 发光二极管(光源)的照度标定实验
一、实验目的:了解发光二极管的工作原理;作出工作电流与光照度的对应关系及工作电压与光照度的对应关系曲线,为以后实验提供光源照度所需的输入电压或输入电流(即光源的输入电压或光源的输入电流代替相应的光源的照度)作依据。
二、基本原理:半导体发光二极管筒称LED。它是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般二极管的正向导通;反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。其发光原理如图1-1所示,当加上正向激励电压或电流时,在外电场作用下,在P-N结附近产生
图1—1 发光二极管的工作原理
导带电子和价带空穴,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区,进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被
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