GaN基电力电子器件关键技术的进展.PDFVIP

第 17 卷 第 3 期 电 源 学 报 Vol.17 No.3 电 源 学 报 总第 期 20 19 年 5 月 Journal of Power Supply May 280319 ： 中图分 类号 ： 文献标 志码 ： DOI 10.13234/j .issn.2095鄄２８０５．２０ １9．3.4 O472.4 A GaN 基 电力电子器件关键技术的进展 彭韬玮 ，王 霄 ，敖金 平 （西安 电子科技 大学微 电子 学院 ，西安 7 1007 1） 摘 要 ：氮化 镓 GaN （gallium nitride ）材 料 非 常适 合 应 用 于 高频 、 高功 率 、 高压 的 电子 电力 器件 当 中。 目前 ，GaN 功 率 电子 器件 技 术 方 案 主要 分 为 Si 衬 底 上 横 向结 构 器件 和 GaN 自支撑 衬 底 上 垂 直 结 构 器件 2 种 。 其 中 ，横 向 结 构 器件 由于制 造 成 本 低 且 有 良好 的 互补 金 属 鄄氧 化 物鄄半 导 体 CMOS （complementary metal鄄oxide鄄semiconductor ） 工 艺兼 容 性 已逐 步 实现 产 业 化 ，但 是 存 在 材 料 缺 陷 多、常 关 型 难 实现 、 高耐 压 困难 以及 电流 崩 塌 效 应 等 问题 ；垂 直 结 构 器件 能 够 在 不 增 大 芯 片尺 寸 的 条 件 下 实现 高击 穿 电压 ，具 有 非 常 广 阔 的 市 场 前 景 ，也 面 临 着材 料 生 长 、 器件 结 构 设 计 和 可 靠性 等 方 面 的挑 战 。 基 于此 ，主要 针 对 这 两种 器件 综 述 介 绍 并进 行 了展 望 。 关键 词 ：氮化镓 （GaN ） ；GaN 横 向器件 ；GaN 垂 直 器件 Progress in Key Technologies for GaN鄄based Power Electronic Devices PENG Taowei, WANG Xiao, AO Jinping （ ’ ） School of Microelectronics, Xidian University, Xi an 7 1007 1, China ： （ ） Ａｂｓｔｒａｃｔ Gallium nitride GaN materials are well鄄suited for high鄄frequency, high鄄power and high鄄voltage power ele鄄 ctronic devices. At present, the technical schemes for GaN power electronic