检测技术WSL-第04章电压型传感器-04光电式.PPT

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （2）光敏晶体管 与一般晶体管相似，具有两个PN结，只是发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。 四、光敏二极管和光敏晶体管 1、结构与原理 光敏二极管 光敏晶体管 大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压，当光照射在集电结时，在结附近产生电子—空穴对，会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用。 光敏晶体管外形 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （3）达林顿光敏管 光敏晶体管的光电灵敏度虽然比光敏二极管高得多，但在需要高增益或大电流输出的场合，需采用达林顿光敏管。 四、光敏二极管和光敏晶体管 1、结构与原理 达林顿光敏管的等效电路： 一个光敏晶体管和一个晶体管以共集电极连接方式构成的集成器件。增加了一级电流放大，输出电流能力大大加强，甚至可不必经过进一步放大，便可直接驱动灵敏继电器。但无光照时暗电流也增大，因此适合于开关状态或位式信号的光电变换。 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （1）光谱特性 光敏管的光谱特性是指在一定照度时，输出的光电流（或用相对灵敏度表示）与入射光波长的关系。 硅和锗光敏管光谱特性曲线： 硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为1.5μm，此时灵敏度最大，当入射光波长增长或缩短时，相对灵敏度都会下降。 四、光敏二极管和光敏晶体管 2、基本特性 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 100 80 60 40 20 0 一般锗管的暗电流较大，因此性能较差，故在可见光或探测赤热状态物体时，一般都用硅管。 但对红外光的探测，用锗管较为适宜。 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （2）伏安特性 硅光敏晶体管的伏安特性，纵坐标为光电流，横坐标为集电极-发射极电压。 与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。只需把光通量看作基极电流即可。 晶体管具有放大作用，在同样照度下，光电流比相应的二极管大上百倍。 四、光敏二极管和光敏晶体管 2、基本特性 2 4 6 8 10 12 14 4 3 2 1 0 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （3）频率特性 光敏管的频率特性是指光敏管输出的光电流（或相对灵敏度）随频率变化的关系。 光敏二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种，普通光敏二极管频率响应时间达10μs。 光敏晶体管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输出电压响应也减小。 四、光敏二极管和光敏晶体管 2、基本特性 光敏晶体管的频率特性 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （4）温度特性 光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。 从光敏晶体管的温度特性曲线可看出：温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。 因此，光敏晶体管作为测量元件时，在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。 四、光敏二极管和光敏晶体管 2、基本特性 §4.4.4 光敏二极管和光敏晶体管 （5）光照特性 光敏晶体管的光照特性近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 故光敏晶体管既可做线性转换元件， 也可做开关元件。 四、光敏二极管和光敏晶体管 2、基本特性 200 400 600 800 1000 4 3 2 1 0 §4.4.5 光电池 光电池是利用光生伏特效应把光能直接转变成电能的光电器件。 光电池可把太阳能直接转变为电能，因此又称为太阳能电池。 光电池有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。故光电池是有源元件。 光电池有硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池等。 目前，应用最广、最有发展前途的是硅光电池和硒光电池。 五、光电池 硅光电池的价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受红外光。 硒光电池的光电转换效率低、寿命短，适于接收可见光。 砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性与太阳光谱最吻合，且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，在宇宙飞船、卫星、太空探测器等的电源方面应用最广。 光电池外形 光敏面 §4.