半导体器件-半导体工艺-离子注入掺杂-光刻2学时教学课件.ppt

半导体工艺简介掺杂工艺-离子注入 为什么要用离子注入进行掺杂？Why? （1）热扩散的限制 1.横向扩散和位错 2.位错晶体损伤 3.实现浅结困难 4.掺杂浓度控制精度 5.表面污染 （2）离子注入优点 1.无侧向扩散 2.精确控制掺杂的数量及位置 3.离子注入浓度最大值不在表面 4.掩膜（光刻胶、金属膜和二氧化硅） 5.低温工艺 什么是离子注入？What？ 离子注入是将含所需杂质的化合物分子（BCl3、BF3）电离为杂质离子后，聚集成束用强电场加速，使其成为高能离子束，直接轰击半导体材料，当离子进入其中时，受半导体材料原子阻挡，而停留在其中，成为半导体内的杂质。 怎么进行离子注入？How？ 离子注入系统 离化反应室 15-40KeV 质谱分析仪 AsH3 PH3 BF3 怎么进行离子注入？How？ 静电或磁透镜 静电场电极板 终端/靶室 离子束与晶圆作用： 1、晶圆电荷积累。利用电子枪提供电子 2、晶体损伤。高温处理 离子注入系统 离子注入区杂质浓度 投影射程 1、重离子注入（Si、Ge）损伤层 2、 3o - 7o 3、表面不定型层二氧化硅 图形化工艺—光刻(What? Why?) 图形化工艺目标： 1、在晶圆中和表面上形成图形，图形的尺 寸在集成电路或器件的设计阶段形成； 2、将电路图形精确的定位在晶圆的表面。 光刻是一种复印图形与化学腐蚀相结合的综合性技术。它将光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的基片上。然后利用光刻胶的保护作用，对基片进行选择性腐蚀，从而在基片上得到与光刻版相应的图样。 1、基片前处理 2、涂胶 3、前烘-软烘焙 4、对准-曝光 5、显影-清洗 6、后烘(坚膜、硬烘焙) 7、腐蚀-刻蚀 8、去除光刻胶 光刻过程： 以SiO2 做掩膜为例 1、去油：甲苯、丙酮、乙醇依次超声5-10min，去离子水冲洗10遍以上。 脱水烘焙 2、涂胶：旋转式、蒸气式、浸涂 光刻胶又称感光胶，一般由感光剂、增感剂和溶剂所组成；感光剂是一种对光特别敏感的高分子化合物，当它受到适当波长的光照射时，能吸收一定的光能量，使之发生交联、聚合或分解等光化学反应，使光刻胶改变性能。 胶膜均匀，达到预定的厚度，无灰尘等。 常用的是旋转法，它又分为旋转板式和自转式 胶膜的厚度由转速和胶的浓度来调解。旋转板式涂胶法的缺点是胶膜厚度不够均匀，多余的胶飞溅易沾污衬底。采用自转式涂胶法能较好地克服上述缺点。 3、前烘—软烘焙 前烘就是将涂好胶的样品进行加热处理。前烘的目的是促使胶膜体内的溶剂部分挥发，使胶膜干燥，以增加胶膜与衬底的粘附性和胶膜的耐磨性。在曝光对准时，胶膜与掩膜版不易擦伤、磨损和沾污，同时，只有在胶膜干燥后曝光，化学反应才能充分进行。 前烘的方法有两种：一种是在60～100℃恒温干燥箱中烘十至十五分钟，具体条件还要视胶的种类和性质而定；第二种是用红外灯烘焙，即把衬底放在干净的容器中，然后用红外灯从容器底照射几分钟。此法的优点是胶膜的干燥从基底与胶的交界面开始，溶剂逐渐从内部向表面挥发，干燥效果较好而且烘焙时间短。 影响前烘效果的主要因素是温度和时间。烘焙不足时（温度太低或时间太短），在胶膜与底片交界面处，胶中的溶剂未充分挥发掉，在曝光时就会阻碍抗蚀剂中分子的铰链，在显影时一部分胶被溶除，形成浮胶或图形变形。烘焙过头时（温度太高或时间太长），会导致胶膜翘曲硬化，形成不易溶于显影液中的薄膜而留下来，显影不干净或胶面发皱、发黑，失去抗蚀能力。 4、曝光 曝光是指用汞灯紫外光对已涂敷光刻胶膜的底片进行选择性曝光。经过光照的胶膜发生光化学反映，改变了这部分胶膜在显影液中的溶解度；显影后，光刻胶膜就呈现出与掩膜板相对应的图形。 可采用的曝光的方法包括：接触曝光法、投影曝光法、电子束曝光法、离子束曝光法和X射线曝光法等； 曝光时间过短，胶感光不足，光刻胶的光化学反映不充分，光刻胶的抗蚀性能就会降低，显影时部分胶会溶解；曝光时间过长，会使光刻胶不感光部分的边缘微弱感光，产生“光晕”现象，腐蚀后边界模糊或出现皱纹，使分辩率降低。 1. 图形必须严格套准； 2. 胶膜表面与光刻版必须贴紧，若存在空隙，不应该照到光的地方也会受到光的照射，使图形产生畸变。 光刻掩膜版 /te_product_d/2007-11-30/5.chtml 5、显影 将曝光后的底片放入用有机溶剂配制的显影液中，使未感光（或感光）部分的光刻胶溶掉，留下感光（或未感光）部分的胶膜，从而显现出我们所需要的图形称为显影。 若显影时间不足，会使显影不干净，应该去除光刻胶的地方还会留下一薄层底膜，在以后的工序中会造成一定的影响如边缘毛刺、图形模糊等；若显影时间过长，由于显影时光刻胶发生软化、膨胀，显影液将从底片表面向图形边缘渗