Silvaco TCAD工艺仿真工艺优化及工艺参数校准.ppt

Page ? * 主要内容 第一部分 工艺优化 第二部分 工艺参数校准 第三部分 总结 Page ? * 1 工艺优化 第一部分 工艺优化 第二部分 工艺参数校准 第三部分 总结 1.1 优化工具Optimizer 寻找合适的工艺参数——工艺优化 工艺优化工具Optimizer 启动方式：CommandOptimizer… 可以对多个参数同时优化 优化不限于工艺 Y=A * X + B * X^2 … Page ? * 工艺优化 → 条件 参数校准→系数 1.2.1 Optimizer的优化设置 误差范围，寻找次数 Page ? * 1.2.2 Optimizer的待优化参数 Page ? * go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20 init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 extract name=Tox thickness oxide \ mat.occno=1 x.val=0 tonyplot 步骤： 1、框住待优化的工艺（此处是diffuse） 参数那一行 2、在OptimizerMode框中选择Parameter， 3、EditAdd即弹出参数选择面板 4、设置参数的扫描范围 1.2.3 Optimizer的优化目标 Page ? * go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20 init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 extract name=Tox thickness \ oxide mat.occno=1 x.val=0 步骤： 1、框住待优化的目标（通常是extract） 那一行， 2、在OptimizerMode框中选择Targets 3、EditAdd 4、弹出优化目标（Tox）的面板 5、设置目标值 1.2.4 优化… Page ? * 当待优化的参数，优化的目标设置好后， 在OptimizerMode框中选择Results， 点击Optimizer即开始优化 OK！ (^_^) 1.3 Optimizer的优点及不足 Optimizer可以扫描特定参数以得到满意的结果 Optimizer的不足： 扫描方式可控性差 只能得到一种组合 Page ? * 目标结果 工艺参数 1.4 VWF简单介绍 Virtual Wafer Fab VWF可以在从工艺仿真到SPICE电路性能仿真的整个流程中使用，也可以在其中的一部分使用 灵活的系统允许自定义实验；实验中的掩模、工艺参数、器件参数、电路参数或调整系数的任意组合均可定义为输入变量 定义实验时，可通过DOE实验设计(如Box Behnken)来自动修改输入参数，或通过优化算法（如Levenberg-Marquardt算法）来手工修改输入参数 可在整个流程中测量输出响应值，包括工艺特性（如氧化厚度）、器件特性（如阈值电压）或者电路特性（如上升时间）等 一份完整的输入响应和实测输出响应工作表可导出至SPAYN，用于额外的统计分析，或导出至TonyPlot用于查看 Page ? * 1.4.1 VWF 对节点进行展开 Page ? * 1.4.2 运行后结果分析 SPAYN（Statistical Parameter And Yield aNalysis）对VWF仿真得到的多组数据进行后处理，比如回归分析、相关分析、多维数据分析、直方图和散点图等 SPAYN还可以画SPC（统计过程控制）图表和Wafer Map Page ? * 1.4.3 VWF的分析 统计分析 目标结果和参数的自动拟合 Page ? * VWF只有Linux版本！ Page ? * 2 工艺参数校准 第一部分 第二部分 工艺优化 第三部分 总结 工艺参数校准 2.1 为什么要对工艺参数进行校准 工艺偏差的来源 设备类型不同 设备状态改变 人员操作 TCAD中的工艺参数来源于 物理化学理论 Fab厂的经验数据 仿真和实验难免存在偏差！ Page ? * 2.2 参数校准的思路 寻找实际生产中可测试的工艺结果及影响结果的工艺参数 找出工艺仿真的模型方程 实际工艺的参数和结果按照模型方程的形式进行拟合 拟合的参数替换模型中默认参数 继续校准以使计算值和实验值更接近 Page ? * 2.3 薄层